在国外看到一条电路，也是写主副电源自动切换的电路，设计非常巧妙。
上面的电路设计也很好，如果VCC端所需的电压不一定等于VUSB，所以这个电路是可以的，所以问题是，如果主输入和副输入电压相等，输出需要相同的电压，不能有太大的压降，如何设计？ 上述电路不能满足，因为D最小压降为0.3V，让我们看看下面的电路。
乍一看，这条电路要复杂得多。事实上，它非常简单和巧妙地使用MOS管导通低Rds与二极管相比，在成本控制较低的情况下，其特点大大提高了效率。 当Vin1 = 3.3V时，不管Vin是否有电压，都由Vin1通过Q输出电压，当Vin断开时，由Vin通过Q2输出电压。因为选择MOS管的Rds很小，压降几乎是几十个mV，所以Vout基本等于Vin。
原理分析
1、如果Vin1 = 3.3V，NMOS Q导通，然后拉低PMOS Q3的栅极，然后Q这时，1也开始导通，Q2.栅极和源极之间的电压为Q3的导通压降几乎是几十个mV，因此Q关闭，外部电源Vin2断开，Vout由Vin1供电，Vout = 3.3V。此时，整个电路的静态功耗I1 I2 = 20uA。
2、现在，Vin1断开了，Q1截止，Q2的栅极有R下拉，所以Q2导通，Q3的栅极通过R2上拉，所以Q整个电路，Q1跟Q3截止，Vout由Vin2供电，Vout = 3.3V。此时上面的电路I1跟I2.静态功耗不存在。
分析完成。主电源存在时，电路静态功耗为20uA，否则，几乎为零。因此，电池适用于外部电源。
MOSFET Q1、Q2跟Q3应选择低压栅极和非常低的导电阻特性。Q2 = Q3 = PMN50XP ，在V gs = 3.3V时R dsON为60mΩ。晶体管T3可以是流2N7002，仅供参考，实际上根据不同情况选择合适的MOSFET。
这种电路的一个主要优点是整个电路几乎没有压降。当然，大电流适合另一方面，三个电路的巧妙控制MOS管道的开启和截止，主辅电源的自动切换，效率最高。
参考原文：《非常精妙的主副电源自动切换电路，并且“零”压降，你GET到精髓了吗？