2009-06-24年晶闸管(可控硅)两端并联电阻的选择是2009-06-24 23:41为什么晶闸管(可控硅)两端并联电阻和电容在实际晶闸管(可控硅)电路中经常并联？RC该网络通常被称为串联网络RC电阻吸收电路。 众所周知，晶闸管(可控硅)具有断态电压临界上升率的重要特征参数dlv/dlt。它表明，在额定结温和门极断路条件下，晶闸管(可控硅)从断态向通态的最低电压上升。如果电压上升率过大，超过晶闸管(可控硅)的电压上升率，则无门极信号即可打开。即使此时加于晶闸管(可控硅)的正向电压低于其阳极峰值电压，也可能发生这种情况。因为晶闸管(可控硅)可以看作是三个PN结组成。 由于各层相距较近，晶闸管(可控硅)处于阻断状态J结面相当于电容C0。当晶闸管(可控硅)阳极电压发生变化时，会有充电电流过电容C0，并通过J3.该电流起到门极触发电流的作用。如果晶闸管(可控硅)关闭时阳极电压上升过快，C0的充电电流越大，门极可能会在没有触发信号的情况下误导晶闸管(可控硅)，即硬开启，这是不允许的。因此，应限制晶闸管（可控硅）上的阳极电压上升率。 为了限制电路电压上升率过高，保证晶闸管(可控硅)的安全运行，晶闸管(可控硅)两端并联RC阻容吸收网络，利用电容两端电压不能突变的特性来限制电压上升率。由于电路总是有电感(变压器泄漏或负载电感)，与电容C串联的电阻R可以起到阻尼作用，可以防止R、L、C在过渡过程中，晶闸管(可控硅)因电容器两端振荡的过电压而损坏。同时，避免电容器通过晶闸管(可控硅)放电电流过大，导致晶闸管(可控硅)过电流损坏。 由于晶闸管(可控硅)过流过压能力差，如果不采取可靠的保护措施，就不能正常工作。RC阻容吸收网络是常用的保护方法之一。 二、选择整流晶闸管(可控硅)阻容吸收元件 电容器的选择： C=(2.5-5)×10的负8次方×If If=0.367Id Id-直流电流值 如果整流侧使用5000A的晶闸管(可控硅) 可以计算C=(2.5-5)×10的负8次方×500=1.25-2.5mF 选用2.5mF，1kv 的电容器 电阻的选择： R=((2-4) ×535)/If=2.14-8.56 选择10欧 PR=(1.5×(pfv×2πfc)的平方×10的负12次方×R)/2 Pfv=2u(1.5-2.0) u=在实际应用中，三相电压的有效阻容吸收回路，RC时间常数一般取1~10毫秒。 小功率负载通常取2毫秒左右，R=220欧姆/1W，C=0.01微法/400~630V/。 大功率负载通常取10毫秒，R=10欧姆/10W，C=1微法/630~1000V。 大功率负载通常取10毫秒，R=10欧姆/10W，C=1微法/630~1000V。R选择：小功率选择