Flash全名叫做Flash Memory，属于非易失性存储设备(Non-volatile Memory Device)，对应于易失性存储设备(Volatile Memory Device)。关于什么是非易失性/易失性，从名称上可以看出，非易失性不易丢失。数据存储在此类设备中，即使断电，也不会丢失。除了这些设备，Flash，还有其他常见的，比如硬盘，ROM等等，相比之下，易失性是断电，数据丢失，比如常用的内存，不管是以前SDRAM，DDR SDRAM，还是现在的DDR2，DDR等等，都断电了，数据就没了。
Flash金属氧化层-半导体-场效晶体管的内部存储(MOSFET)，有一扇悬浮门(Floating Gate)，是真正存储数据的单元。
数据在Flash电荷用于内存单元(electrical charge) 形式存储。存储电荷的数量取决于图中的控制门（Control gate）施加的电压控制电荷是冲入存储单元还是释放电荷。数据显示，存储的电荷电压是否超过特定阈值Vth 来表示。
1.对于NAND Flash写入(编程)是控制Control Gate去充电（对Control Gate加压)，使悬浮门储存足够的电荷，超过阈值Vth，就表示0。
2.对于NAND Flash的擦除(Erase)，悬浮门放电低于阀值Vth，就表示1。
NAND Flash的架构:
如上图所示，这是8Gb 50nm的SLC颗粒内部结构。
每个page每个单元代表33792个单元bit(SLC)，所以每个page就是4096Byte 128Byte（SA）。 每个Block有64个page组成，所以每一个Block容量为262,114Byte 8192Byte （SA）
page是NAND Flash上最小的读/写单位（一个page上述单元共享字符线Word line），块是最小的擦除单位(。不同品牌和型号的颗粒不同page和block大小。
下图是个8Gb 50nm的SLC颗粒。
4KB的页尺寸，256KB块尺寸。图中4096字节用于存储数据，另外128字节用于管理和ECC用。
SLC 和 MLC 区别：
SLC主要用于军工、企业级应用，具有高速写入、错误率低、耐久性长的特点。 MLC主要用于消费级应用，容量是2倍SLC，低成本，合适USB闪盘、手机、数码相机等存储卡。现在也用于消费级固态硬盘。
从上图可以看出，MLC和SLC虽然使用相同的电压值，但电压之间的阀值分为四部分，直接影响性能和稳定性。主要有以下几点：
1.相邻储存电荷的悬浮门会相互干扰，导致悬浮门内电荷不稳定bit错误，MLC与阀值相比SLC更接近，出错的概率更大。 2.MLC读写性能降低，写入降低50%以上，因为需要确认充电量，需要更准确的处理。SLC只有0和1，也就是有和没有，MLC会有00,01,10,11 四种状态，充电后判断是哪种状态，自然会慢。 3.因为上面提到的额外读写压力，功耗明显增加。 4.由于的写入耐久性和数据保存期受到额外读写压力的影响。
eMLC和eSLC通过牺牲数据保存期和增加读写时间来提高耐久性。(即性能会更差)