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笔记:CCD和CMOS传感器对比、电荷耦合转移过程

最近安装维护摄像头的时候,想到了光电检测课的一个知识点,就是两个图像传感器的区别,总是和模电三极管和mos管记混,记录,做好区分。

COMS:互补金属半导体

CCD:电荷耦合器件和分线阵CCD、面阵CCD

面阵CCD再分:

记录电荷耦合转移的过程

在二氧化硅层上放置多个电极,第一个电极增加比周围电极高的电压,使其吸引一定量的电荷

1、电极 10V在电极下形成势陷;

2.下一个电极升压到 10V,势阱连接,电荷部分转移,注意前一个电极电压没有下降,所以是部分转移

3.前一个电极降压,所有电荷都转移到第二个陷

4.如此不断地改变电压,使信号电荷逐个传输

总结起来CCD工作过程或组成是

参数对比

(1) 输出类型:CMOS一般内置A/D模块、图像输出已经数字化,CCD模拟信号输出

(2)灵敏度:CMOS而且灵敏度低CCD同一区域的灵敏度相对较高

(3)功耗:CMOS是直接放大,功耗低,CCD需要额外的电压,功耗高

(4)信噪比:CMOS信噪比低于CCD

可见,CCD灵敏度和信噪处理优于CMOS,但功耗大,成本高;CMOS其优点是成本低、功耗低等。一般来说,两种设备各有不足,新一代CCD传感器一直在提高功耗,CMOS提高信噪比和灵敏度的不足。

最后,记住三极管和场效应管相关知识的一部分

(1)三极管,E、B、C

NPN、PNP型、

电流控制类型,当负载工作电流较大时,三极管加热较严重,因此三极管不适合驱动功率较大的负载。用于设计负载驱动电路,实现蜂鸣器开关控制LED、直流电机、继电器等。三极管导通后,集电极(C)和发射极(E)两者之间会有一定的压降。

(2)场效应管 栅极(G)、漏极(D)、源极(S)

场效应管导通后内阻小,可用于驱动功率大的直流负载。场效应管也可用于设计电流和电压信号放大电路

参考文献:《安全世界2:智能高清视频监控原理与最佳实践》

标签: 传感器光电耦合ccd传感器电荷产生

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