ICT局限性分析测试
更新时间：2012-05-03 14:01:20 来源: 工业360
核心提示：
在实际的电路板上，通过串并联连接大量的主被动组件. 下述情形,ICT无法测试或准确测试.
一般来说，每个零件的两端（或引脚）所在的铜箔表面只能通过探针进行测试.
目前, 本厂SMT零件,IC少数因素没有相应的脚(包括悬空引脚)Test Point未取探针导致该部件及相关短路不可测. 以后可以考虑在同一金道上安装双针(保证探头接触良好).
Sub-Board大部分零件没有拿到针号，所以不可测. 最好是生产Sub-Board亦用ICT测试.
电容器不可测
两个电容并联后，容值为C1 C2, 一般来说，如果C2的容值是C1的10倍以上,则C1不可测.
假设: C1=100nF ;C2=1uF.
通常，实际电容为标准电容±20%的误差表示. 因此，在编制程序时，通常会设置程序±Tolerance为20. 设标准值为100nF 1uF=1100 nF.则:
下限为1100 nF*(1-20%)=880 nF;
上限为1100 nF*(1 20%)=1320 nF.
当C1缺件时, C1 C2=1000 nF, 仍在880 nF~1320 nF所以以C1不可测.
在实际电子线路中，大、小电容并联，或小电容通过电感或小电阻与大电容并联. 所以小电容不可测的情况最常见.
一般而言, 如果R1的阻值是R20倍以上，则R1不可测.
两电阻并联后，其电阻值为R1*R2//(R1 R2)，略小于小电阻. 此时，大电阻缺件无法测量. 当然,如果R2错成R1.只要下限小于50，仍然可以测量.
假设计算方法也可以参考以下计算方法R1是10欧姆，R上下限为200欧姆±10%，则设定标准值为R1*R2//(R1 R2)=9.5
下限为9.5*(1-10%)=8.55
上限为9.5*(1 10)=10.45
当R2缺件时，R1//R2=10,仍然在8.55~10.45范围内，所以R缺件不可测R2错件成R1，则R1//R2=5,不在8.55~10.在455范围内，可以测量错误的零件。
同理, 与跳线并联的电阻(J//R),不可测.
考虑到探针接触电阻、排线公母连接器之间的电阻(反复插拔会增加)等。(约几百毫欧至几欧元)，上限应放宽.
例如: 四颗0.47ohm假设其中一个缺失，系统是不可测的.
另外通过PIN Search 探针可以检测到开关" href="http://gongkong.gongye360.com/power/index.html" rel="noopener noreferrer">开关板之间的阻抗值应保证在1欧姆以内，测试小电阻更准确，也可以尝试四线测试小电阻。.1ohm 的电阻﹐误差= /-20%
这是所说的"大", 只有在实际调试时才能判断是否可测.分析测试原理：
例如：R1为100k欧姆的电阻同1mf的电容C1并联，
电容的容抗为：Zc=1/(2*3.14*50*1*0.001)=3.18
电阻为： Zr=100000欧姆
因此，可以看出，大电阻不能准确测试，具体电路应具体分析，上述公式是否能准确测试。
釆用AC小电容器具有高阻抗， 小电阻与大电阻并联， 小电容无法测量.
采用交流相位分离法，当电容和电阻较小时，相位差逐渐为0。因此，小电容不能准确测量.
采用固定电流法，电感通直流，使电阻两端短而不可测.
采用交流相位分离法， 小电感并联大电阻，相拉差逐渐趋于π/2. 故常不可测.
与大电感并联的小电阻可以通过相位分离法测量.
此时所说的电感，包括变压器，继电器" href="http://gongkong.gongye360.com/elec/index.html" rel="noopener noreferrer">继电器等.
小电容并联小电感， 同小电容///小电阻相同，小电容无法准确测试..当电容器较大时，它本身通常可以测量. 当电容较小时，可以测量电感值. 当然，如果将电感视为小电阻(通常需要延迟测试)， 内部断开或缺失的情况总是可以测量的.
硅二极管的正偏置电压约为0.7V.
当R约为35~45ohm以下情况下，二极管插反或漏件不可测.
因ICT非破坏性试验提供的电流较小，一般约为20mA(MODE 1). 当R约为35ohm下面，正反向测量的电压小于V=I*R=0.7V. 然后将二极管插入反向甚至泄漏，测量的结果保持不变.
通常，二极管的正压降为0.7V,反向压降>0.7V.
与第十条相同， 如果D//J或D//L.正反向压降约为0. 此时二极管插反，漏件， ICT测量结果仍为0，与正确时相同，因此不可测.
l 但插入反应是可测的
l 两个二极管异向并联，其泄漏或插头反应可测.
(以上两点须釆用正反向双步测试, 只有有效检出.)
另外：TR518EP上述测试设备(TR5001,TR8001)泄漏部件和空焊可通过测试泄漏电流的原理进行测试。
这里提到的二极管一般是指PN结.包括Diode,Transistor,FET, Photo Coupler,SCR,IC等内的PN结.
因ICT系统TR518F,TR518FE,TR518FV最大仅提供10V的电压, 因此，如果齐纳电压大于10V, 则无法测试.当然，如果错成齐纳电压小于10，V的ZENER,还在可测之列.TR518FR可提供48V,这部分可以测试。
ICT利用电解电容正反向漏电流之差异,判定其是否插反. 但电感(包括变压器)经常出现在整个网络中，IC,小电阻的分流作用，正反向漏电流没有明显差异，极性无法测试. 因此，电容极性测试相对有限.
三端测试一般用于电解电容器，效果很好，并联电解电容器掉件，反向可测率接近100%。
ICT可以侦测1pF的电容, 其方法是扣除杂散电容并获得相对稳定的值. 但是，如果测量值受旁路影响极不稳定，变化范围超过被测电容值，则电容缺陷不可测. 当然，如果错误的部件是大电容器，它仍然可以测量.
晶体振动、突波吸收器进行小电容测试，有时泄漏部件不可测.仔细测试调试.
例如: Bead跳线或短路是错误的. 当然，它的缺陷或断然可以测量.
变压器应将每个绕组进行电感测试，以便于测量短路。
ICT通过测量其保护二极管，可以判断IC空焊、开短路、插反、错件、二极管保护不良.但对于IC内部性能不良必须依赖其他测试. 此外，共地的几个IC脚空焊通常是不可测的.
因其处于OPEN(每Pin之间)状态. 但若是以HPTestJet 加装技术Sensor Plate进行测试时，仍可测量空焊， 缺件等.
例如,N型沟增强型绝栅场效应管(MOSFET),通常在D-S间存在一PN结,可作Diode来测试,而G极处于绝缘状态. 对于ID的测试,常因受旁路分流而使其在G极空焊时仍量到一没有多大变化的值.故对于FET, 要细心试验,使之可测.
零件空焊一般都可以有效的侦出.但下述情形极为偶然.
虽然零件空焊,但探针借助弹力仍与零件脚接触良好时,这颗零件测量值就为正确,从而未有效检出空焊. 且因为探针的压迫,使零件脚碰触金道导通,故Open/Short测试亦未能测出来.(故最好选取Test Pad作探点)
( 以上叙述作参考 )