SK海力士近发布了有关其第8代3D NAND存储设备的详细信息，该设备具有300多个有源层。该公司的新型3D NAND设备将使其能够在2024年至2025年的某个时间范围内提高SSD的性能并降低其每TB成本。
SK海力士初的第8代3D NAND设备具有300+层，将配备1Tb（128GB）容量，具有三级单元，位密度超过20Gb/mm^2。此外，该
具有 16KB 页面大小、四个平面、2400 MT/s
和 194 MB/s 的吞吐量（比第 7 代 238 层 3D NAND 高 18%）。高速 I/O 和增加的吞吐量将特别适用于 的固态
具有 PCIe 5.0 x4 或更的接口。
（图片来源：SK海力士）
将新NAND的位密度提高近一倍将显着提高新制造节点的每晶圆生产率，这将降低SK海力士的成本，尽管目前尚不清楚其显着程度。
三重验证程序（TPGM）功能，可缩小
阈值电压分布，并将tPROG（编程时间）减少10%，从而转化为更高的性能;
自适应未选择字符串预充电 （AUSP） — 另一种将 tPROG 减少约 2% 的程序;
全通上升 （APR） 方案可将 tR（读取时间）减少约 2%，并缩短字行上升时间;
编程虚拟串（PDS）技术，通过降低通道电容负载来缩短tPROG和tR的世界线建立时间;
平面级读取重试 （PLRR） 功能，允许在不终止其他平面的情况下更改平面的读取级别，从而立即发出后续读取命令并提高服务质量 （QoS） 和读取性能。
SK海力士没有透露何时开始生产其第8代3D NAND设备。但是，由于该公司已经披露了有关该技术的详细信息，因此看起来其开发已经完成或接近完成。同时，由于所有闪存制造商都倾向于放慢采用较新的制造节点以限制NAND位输出的速度，因此SK海力士不太可能将第8代3D NAND投入生产。因此，预计新
将在 2024 年采用是合理的。