总是记不住，每当拿着一块单片机，总是要翻书查资料，放到这里以便以后查阅 
40： 电源+5V 20：VSS 接地 19和18：X和XTL2 振荡电路 29: PSEN 片外ROM选通信号，低电平有效 30：ALE/PROG 地址锁存信号输出端/EPROM编程脉冲输入端 09: RST/VPD 复位信号输入端 31: EA/VPP 内外部ROM选择端 P0口 双向I/O口 驱动电流为10mA P1口 准双向通用I/O口驱动电流为20mA P2口 准双向I/O口驱动电流为20mA P3口 多用途口驱动电流为20mA P0口 当准双向口使用时，加上拉（P0口作为输出口时，因输出级处于开漏极状态，所以必须加上拉电阻），输入是先将口置1.当数据总线使用时输入八位数据，当地址总线使用时输出8位地址。 P1口 只能做I/O口使用，使用时不需要再加上拉电阻(P1口内置)。 P2口 可以输出程序存储器或外部数据存储器的高8位地址，与P0口输出的低8位地址一起构成16位的地址线，从而可以分别寻址64K的程序存储器或外部存储器。 P3口 端口位 第二功能 注释 P3.0 RXD串行口输入 P3.1 TXD串行口输出 P3.2 INTO 外部中断0 P3.3 INT1 外部中断1 P3.4 T0 0记数输入 P3.5 T1 计数器1记数输入 P3.6 WR 外部RAM写入选通信号 P3.7 RD 外部RAM读出选通信号 P0-P3做输出控制端时，低电平控制法，在低电平时I/O口允许灌入的电流比高电平时要大，一般情况下低电平灌入的电流为高电平的4倍 机器周期：计算机访问一次存储器的时间。1个机器周期=12个振荡周期(晶振的时间周期)=1/f DJNZ=两个机器周期 RAM 共分为两个部分，第一部分为 00H-7,在这128个字节中又分为三个区域，第一个区域为00H-1FH,有四组工作寄存器，每组8个字节，分别为R0-R7,同一时刻只能用其中的一组寄存器，通过程序状态字PW中的RS0，RS1两位来控制。第二个区域20H-2FH，这16个字节除了可以像一般的RAM读写外，还可以对每个字节的每一位进行操作，并且对这些位都规定了固定的位地址，从20H-2FH共128位。第三个区域为一般的RAM单元，地址为30H-7FH.第二部分，80H-FFH是专门用于特殊功能寄存器（SFR）的，89C51公用21个特殊功能寄存器，它们每个也都有8位。 特殊功能寄存器: ACC存放中间结果 B存放乘数或除数 PSW程序状态字寄存器 PSW.D7CY进位标志位 PSW.D6AC半进位标志位 PSW.D5F0用户自定义标志位 PSW.D4RS1 工作寄存器组选择位 PSW.D3RS0 工作寄存器组选择位 RS1,RS0 000组(00H-07H) 010组(08H-0FH) 100组(10H-17H) 110组(18H-1FH) PSW.D2OV溢出标志 PSW.D1 PSW.D0P 奇偶校验位 运算结束后若A中二进制数1的个数为奇数则P=1否则P=0 D(H,DPL):数据指针 数据指针是一个16进制的寄存器，可以用它来访问外部RAM,也可以用来外部ROM中的表格。 SP：堆栈指针 PCON: 电源控制寄存器 SMOD波特率倍增位，在串行通讯时使用 GF1、GF0 通用标志位 PD掉电方式位 PD=1进入掉电方式 此时单片机的一切工作都停止，只有RAM中的数据被保留下来。掉电方式下电源可以降到2V,电流为50uA。 退出掉电工作方式唯一的方法就是复位，不过应在电源恢复到正常值后再进行复位，复位时间要大于10mS。在进入掉电方式前电源电压是不能降下来的。因为可靠的单片机电路最好有电源检测电路。 IDL 待机方式位 IDL=1进入待机方式 此时所有通用寄存器被冻结，单片机耗电从24mA降为3.7mA。退出待机方式可以采用引入中断的方法。在中断程序中安排一条RET1指令就可以了。 TOMD(89H): 高四位用于T1 G、C/T、M1、M0 低四位用于T0 GATE、C/T、M1、M0 TCON(88H): 高四位用于定时/计数器 TF1、TR1、TF0、TR0 低四位用于中断