2N5457是一种具有漏极和源极可互换功能的通用N沟道结型场效应晶体管（JFET）。它以耗尽模式运行，需要反向偏置才能关闭。因为耗尽型MOSFET就像一个常闭开关。

与其它MOSFET不同的是，2N5457晶体管具有高（交流和直流）输入阻抗。由于它是一种CMOS技术器件，所以可用于低噪声应用中的信号放大和快速切换。

2N5457常见的一些应用包括电源电路、音频放大器、滤波器、开关电路、振荡器、信号放大器、传感器等领域。另外，需要根据具体的应用需求和电路设计要求进行选型和使用。

规格参数

产品属性	属性值
产品种类:	结型场效应管
安装风格:	通孔
封装/箱体:	TO-92-3
晶体管极性:	N沟道
配置:	单
Vds-漏源极击穿电压:	25伏
Vgs-栅源极击穿电压 :	25伏
闸/源截止电压:	–6伏
Vgs=0时的漏-源电流:	3毫安
Id-连续漏极电流:	10毫安
Pd-功率耗散:	310毫瓦
最小工作温度:	–65摄氏度
最大工作温度:	+150摄氏度
最大漏极/栅极电压:	25伏
产品类型:	结型场效应晶体管
单位重量:	453.600毫克

引脚配置

这个外延硅晶体管有三个引脚，最左边的引脚是漏极，最右边编号为3的引脚是栅极引脚。中间的引脚用作JFET的源极，其引脚配置如下图所示：

表格中的引脚配置详细信息如下：

Pin	引脚名称	功能描述
1	Drain	漏极
2	Source	源极
3	Gate	栅极

功能特性

• 漏源电压(Vds) : 25Volts
• 漏栅电压(Vdg) : 25Volts
• 栅源电压(Vds) : -25Volts
• 功耗：310mW
• 栅极电流：10mA
• 栅源截止电压（Vds=15Volts，Id=10nA）：-6.0Volts
• 零栅极电压漏极电流（15Volts，Vgs=0Volts）：5.0mA

等效和替代的晶体管型号包括2N5458、J107、BF246B、J309。

噪声系数与源电阻特性

典型的漏极特性

共源传输特性

2N5457开关电路

下面的示意图显示了使用2N5457 N沟道JFET电路作为开关，如下图所示：

N沟道JFET通常在设备上，这意味着在零栅极电压时，它会打开。此外，电流从漏极流向源极不需要任何偏置电压。它处于饱和模式。因此，当电压源施加到LED且JFET的栅极端没有电压时，LED会发光。为了关闭JFET，应在栅极端子上施加足够的负电压，使JFET进入截止模式。电流不再从漏极流向源极，LED将失去亮度。使用的电阻器是为了限制通过LED的电流以避免损坏。

2N5457斩波电路

下图显示了JFET作为斩波器的工作原理：

电路中的漂移问题是由于温度变化以及放大器中直流电和交流电的耦合引起的，可以通过使用斩波器来克服。

输入直流电压通过斩波器，产生与输入直流信号具有相同峰值电压的交流信号。然后使用交流放大器对其进行放大，不会发生漂移。该放大的交流波被峰值检测以补偿放大的直流输出信号。将方波输入信号施加到栅极端子，使其作为斩波器运行。它使JFET在饱和模式和截止模式之间交替。

就像输入直流电压一样，输入交流电压晶体管的ge也可以无漂移地放大。在斩波器上施加低交流输入信号。然后通过交流放大器放大合成波并消除漂移。然后对放大波进行峰值检测，以补偿施加到斩波器的原始低输入交流信号。

主要应用

• 低噪声应用
• 信号调制
• 低噪声放大器
• 限流系统
• 移相振荡器

封装设计参数

下图显示了2N5257 N沟道JFET的二维模型，它向我们展示了设计PCB卡时所需组件的物理尺寸：

总结

2N5457是一种N型金属氧化物半导体场效应管，也被称为MOSFET晶体管。它是一种芯片尺寸较小、击穿电压高、输入电容低、输出电阻低和开关速度快的常见电子元件，主要用于模拟和数字电路中的功率放大、开关控制和信号放大等方面的应用。