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英飞凌与威迈斯加强合作,为电动汽车提供节能经济的快速充电服务

【2024年3月4日,德国慕尼黑讯】英飞凌科技股分公司(FSE代码:IFX / OTCQX代码:IFNNY)的新型CoolSiC™混杂分立器件接纳 TRENCHSTOP™ 5 倏地开关 IGBT 和 CoolSiC 肖特基。中国当先的新能源汽车功率电子和机电驱动器制造商深圳威迈斯新能源股分无限公司(VMAX)将这款器件用于其下一代6.6 kW OBC/DCDC。英飞凌的元件接纳 D²PAK 封装,将超高速 TRENCHSTOP 5 IGBT与碳化硅(SiC)肖特基势垒二极管相结合,在硬开关和软开关拓扑布局中拥有圆满的性价比。凭仗卓着的功能、优化的功率密度和当先的品质,该功率半导体器件与威迈斯的完成了高度适配。

CoolSiC™混杂分立器件

威迈斯研发部分产品线总监兼首席工程师徐金柱暗示:“咱们非常庆幸能为咱们的下一代OBC抉择英飞凌的CoolSiC Hybrid器件,从而完成更高的可靠性、稳定性、功能和功率密度。这深化了咱们与英飞凌的分工瓜葛,并经由过程慎密合作,推进手艺使用立异,配合促成新能源汽车的发达进展。”

英飞凌科技汽车低压芯片与分立器件产品线副总裁Robert Hermann暗示:“咱们很庆幸凭仗高效的混杂产物增强与VMAX的分工。咱们将一路连续推进的进展,以高效率的解决计划餍足业界对功能、品质和体系本钱的请求。”

这款混杂分立器件接纳倏地硬开关TRENCHSTOP 5 650 V IGBT与零反向复原CoolSiC肖特基二极管共封装,在开关速率跨越50 kHz时的开关消耗极低。这使得该器件成为大功率充电体系的上佳之选。另外,牢固耐用的第5代 CoolSiC肖特基二极管还具有更强的抗浪涌电流才能,最大水平地提高了可靠性。该SiC二极管的散布焊接改良了封装的热阻 (Rth),使芯片尺寸变得更小,从而提高了功率开关才能。凭仗这些特点,该产物完成了更卓越的体系可靠性和应用寿命,餍足了汽车行业的严峻请求。为了最大水平地晋升与现有设想的兼容性,该产物还采用了基于普遍应用的D²PAK封装的引脚对引脚兼容设想。

接纳TRENCHSTOP™ 5倏地开关IGBT和CoolSiC™ 肖特基G5配合封装的 CoolSiC™混杂分立器件现已上市。

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