NTHL015N065SC1碳化硅(SiC) MOSFET是一个12欧姆，650V MOSFET封装在TO-247-3L封装中。SiC mosfet被设想为倏地和牢固。该器件供应了10倍高的介电击穿场强和2倍高的电子饱和速率。mosfet还供应3倍高的能带隙和3倍高的热导率。所有onsemi SiC mosfet包孕AEC-Q101及格和PPAP才能的选项，特地设想并吻合汽车和工业使用。
特点
Typ。R(DS(on)) = 12m @ V(GS) = 18V
Typ。R(DS(on)) = 15m @ V(GS) = 15V
超低门电荷(Q(G(tot)) = 283nC)
低电容高速开关(C(oss) = 430pF)
100%雪崩测试
该设置装备摆设不含卤化物，吻合RoHS豁免7a，无铅2LI(第二级互连)
使用步伐
开关模式电源
太阳能逆变器
UPS(不间断电源)
能量贮存