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ISSI串行RAM设备的介绍、特性、及应用

ISSI串行RAM设置装备摆设包括8Mb/16Mb/32Mb伪动态随机存取存储器(RAM),应用自革新DRAM阵列。这些数组构造为1M个单词乘8位,2M个单词乘8位,4M个单词乘8位,分别为8Mb、16Mb和32Mb。串行RAM设置装备摆设支撑SPI (serial Peripheral Interface)和QPI (Quad Peripheral Interface)和谈,旌旗灯号计数低。这些设置装备摆设还支撑潜藏革新操纵,工业温度和汽车A2级温度。支撑带内复位,而不是公用的reset #引脚,最小传输数据巨细为8bit。

特点

  • 行业规范串行接口:

    • 6个旌旗灯号引脚(ce#, CLK, SIO0~SIO3)

    • 4-4-4操纵

    • 1-1-1和1-4-4操纵

    • SPI和谈:

    • QPI和谈:

    • 低旌旗灯号计数:

  • 高性能:

    • 50欧姆

    • 32和1024(默许=1024)

    • 1024字节

    • 33MHz(最大)用于失常读取

    • 104MHz(最大)用于倏地读取

    • 时钟频次:

    • 页面巨细:

    • 可设置封装迸发长度:

    • 总是在页面内包装突发操纵:

    • 驱动气力:

  • 低功耗:

    • 繁多1.65V至1.95V电压供电局限

    • 单个2.7V至3.6V电压供电局限

    • 15mA最大有源QPI模式读取电流@ 104MHz, 105°C

    • 典范的待机电流

  • 硬件特色:

    • 串行数据输出或串行数据输入

    • 串行时钟输出

    • 时钟输出:

    • SIO0 - SIO3:

  • 温度等级:

    • -40°C到105°C

    • -40°C到85°C

    • -40°C到85°C

    • 工业:

    • 汽车(A1)等级:

    • 汽车(A2)问题:

  • 行业规范包:

  • K = 8-触点WSON 6mm x 5mm

  • T = 8-触点USON 4mm x 3mm

  • N = 8引脚SOIC 150mil

  • Y = 12球WLCSP

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