二极管分开DMN3732UFB4 n通道加强模式MOSFET旨在最小化R(DS(ON))并坚持使人印象粗浅的开关功能。该MOSFET拥有低V(GS(TH))和防静电维护栅极。DMN3732UFB4 MOSFET吻合AEC-Q100/101/104/200规范，接纳0.4mm超低尺寸封装。这类MOSFET是无铅的，吻合RoHS规范，在-55°C至150°C的温度范围内事情。典范的使用包孕负载开关、便携式使用和电源治理性能。
特点
0.4mm超高档包装薄使用
0.6mm(2)包装占地面积
低V (g (TH))
低R (DS(上))
防静电栅
AEC-Q100/101/104/200及格
PPAP才能
无铅
经由过程无铅认证
不含卤素和锑
标准
30V(DSS)漏源极电压
±8V(GSS)门源电压
3A脉冲漏极电流
0.96A最大继续体二极管正向电流
-55℃~ 150℃事情温度局限
包:
X2-DFN1006-3
UL易燃分类等级94V-0
分量:
0.001克
使用步伐
负荷开关
便携式使用步伐
电源治理性能