onsemi NTBG060N065SC1碳化硅(SiC) MOSFET是一个44毫欧， 650V MOSFET封装在D2PAK-7L封装中。SiC mosfet被设想为倏地和牢固。该器件供应了10倍高的介电击穿场强和2倍高的电子饱和速率。mosfet还供应3倍高的能带隙和3倍高的热导率。所有onsemi SiC mosfet包孕AEC-Q101及格和PPAP才能的选项，特地设想并吻合汽车和工业使用。
特点
Typ。R(DS(on))= 44m @ V(GS) = 18V
Typ。R(DS(on))= 60m @ V(GS) = 15V
超低门电荷(Q(G(tot)) = 74nC
低输入电容(C(oss) = 133pF)
100%雪崩测试
T (J) = 175°C
经由过程无铅认证
使用步伐
开关模式电源
太阳能逆变器
UPS(不间断电源)
能量贮存