东芝第三代碳化硅mosfet设想为高功率工业使用，如400V交换输出交直流电源。其余使用包孕光伏(PV)逆变器和双向DC-DC转换器的不间断电源(UPS)。这些mosfet有助于下降功耗和进步功率密度。这是因为SiC手艺同意设置装备摆设供应更高的电压，更快的开关和更低的接通电阻。东芝的第三代芯片设想除了供应4850pF(典范)的输出电容(C(ISS))， 128nC(典范)的低栅输出电荷(Q(g))和仅15毫欧或30毫欧(典范)的漏源通电阻(R(DS(ON))以外，还供应了加强的可靠性。
特点
VF低
内置肖特基势垒二极管手艺，供应超低V(F)
高可靠性的电池设想
低(上)、R(上)问(gd)
Ron*Qgd从东芝第二代到第三代减少了80%
拥有竞争力的Ron*Qgd和开关功能
更普遍的V (GSS)评级
宽V(GSS)评级有助于进步设想可靠性，使设想更轻易
VGSS -10V ~ 25V(保举18V)
低的接通电阻和较高的栅极阈值电压(V(th))有助于避免不测接通等毛病
使用步伐
工业马达驱动器
电池充电器
AC-DC和DC-DC转换器
功率因数校订电路
能量存储体系
太阳能
不间断电源
功能图表
包装外部电路
包装的尺寸
