SemiQ GP2T080A120H 1200V SiC MOSFET的介绍、特性、及应用

SemiQ GP2T080A120H 1200V SiC MOSFET供应更低的电容和更高的体系服从。GP2T080A120H拥有高速开关、用于门驱动的驱动源引脚和靠得住的体二极管的特色。GP2T080A120H 1200V SiC MOSFET部件的测试强度跨越1400V，雪崩测试强度为200mJ。另外，GP2T080A120H易于并行并供应较低的Qg。该设置装备摆设是太阳能逆变器，电动汽车充电站，感应加热和焊接，以及机电驱动器的现实抉择。