近日，“里手说三代半”发明，国内外新增了2种SiC工艺手艺，能在衬底制备、抛光环节进一步完成降本增效，详情请看：
近日，上海微体系所异质集成XOI课题组自立研发了基于“”的碳化硅复合衬底创造手艺，SiC尺寸最大达到8英寸，并开端经由过程内涵考证。
基于“全能离子刀”异质集成手艺，该课题组经由过程剥离与转移的要领能够将高质量与硅、低成本或多晶SiC集成在一起，进一步轮回剥离高质量SiC衬底（“刀削面”工艺），从而使高质量SiC一片变多片，完成单片本钱的大幅降低。
今朝手艺程度预期能够将SiC晶圆接纳轮回应用10次，预期将使8英寸单片创造本钱，进步接纳手艺程度将使单片本钱进一步下降。
基于以上制备流程，该团队完成了6英寸及8英寸的底的制备，制备的SiC复合衬底厚度平均值346 μm、TTV为1.075 μm、Bow为8.429 μm、LTV为0.885 μm、外貌粗糙度Rq为0.225nm，基础达到后续内涵需要。
该团队进一步对SiC复合衬底进行了内涵考证，发明内涵层外貌粗糙度Rq为0.473 nm、厚度11.137μm、面内厚度匀称性2.7%、载流子浓度1.34×1016cm-3、面内载流子均匀度2.63%；总体上，SiC复合衬底能够支持较高品质的。
近日，国际周详工程与创造杂志刊登了一篇对于碳化硅抛光工艺立异的论文，提出一种体式格局，可无效进步浆料应用服从和MRR（资料去除率）。
据悉，惯例CMP（化学机器抛光）工艺中，抛光浆液平日间接输送到抛光垫上，在加工过程当中仅使用了一定量的浆料，轻易造成浆料浪掷和少量污水，也无益于进步抛光服从。普通而言，惯例CMP的MRR仅为，且抛光液本钱占CMP资料本钱的比例快要。
为缩小浆料损耗并提高工艺服从，韩国科学家提出了一种中央注入抛光浆料计划。顾名思义，该计划就是在旋转轴芯上增添浆料提供孔和管道，经由过程向心力将抛光浆料间接运送到衬底和抛光垫之间。
他们基于碳化硅衬底抛光的一系列试验，阐发了分歧转速和浆料提供速度下的浆料服从和生产率，发明接纳中央注入抛光体式格局，可进一步完成降本增效：
在沟通加工条件下，资料去除率（MRR）是传统抛光的；
在沟通的 MRR 下，浆料消耗量减少了；
原始SiC衬底粗糙度为1.5μm，中央注入抛光发生的外貌品质与传统抛光发生的外貌类似，RA（外貌粗糙度）局限为。