设想汽车转换器时,尺寸、本钱和可靠性是关头要素。为了餍足这些规范,最简略的双向拓扑;抉择同步降压/反向升压转换器。最大限度地进步动力服从也相当首要,在这里,设想职员能够应用氮化镓 (GaN) 手艺来完成比应用传统硅功率
更高的服从。氮化镓受害于极高的
迁移率和低温度系数,这使得功率晶体管拥有异常低的导通电阻(R ON),从而最大限度地缩小导通消耗。横向晶体管布局还致使极低的栅极电荷 (Q G ) 和零反向复原电荷 (Q RR)。另外,GaN FET 的输入电容 (C OSS ) 也比同类 MOSFET 低得多 。
与近似 MOSFET 相比,适用于 48 V 使用的 GaN FET 的质量因数(芯片面积 x R ON )凌驾约四倍。关于沟通的 5V 栅极电压,GaN FET 的栅极电荷比硅 MOSFET 至多低五倍。是以,与硅 MOSFET 相比,GaN FET 能够在高
频次下更高效地事情,从而使设想职员可以或许在设想中指定更小的
和电感器。因为开关和导通状态下的消耗较低,散热器尺寸也能够减小,终究完成更小、更纤薄的模块或在沟通的占地面积内同意更高的额外功率。终究,这为车辆设想职员供应了额定的自在,能够在现今车辆的狭窄空间限定内封装更多新功能。
设想转换器 图 1 表现了 1.5 kW 双向 48 V/12 V 转换器的简化道理框图,经由过程并联两个转换器使其成为四相,能够相对于轻松地将其扩展到 3 kW。图中所示的两相设想可运转高达 1.5 kW,12 V 端口上每相的最大电流为 62.5 A。这是经由过程应用吻合 AEC-Q101 规范的 EPC2206 eGaN(增强型 GaN)FET 完成的,该 FET 拥有 2.2 mΩ R ON和 90 A 的额外峰值直流电流。两相设想还降低了所需的额外电流。电感器。
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