近年来，8英寸手艺打破显然加速，据“里手说三代半”调研发明，环球已有29家企业完成了8英寸SiC成长的研发打破，此中包孕中国企业。
然则，有一些SiC企业向咱们吐露，今朝成长8英寸SiC单晶的手艺曾经逐步成熟，但在磨抛等后道工序还存在手艺难点，今朝业内8英寸SiC衬底磨抛。
8英寸SiC衬底磨抛环节会面对哪些难题？磨抛时候和本钱将会增添几何？值得注重的是，近期推出了针对的磨抛计划，据称能进一步进步良率程度。那末，3M公司的磨抛计划若何完成降本增效？如下，咱们将逐一解读。
某头部衬底厂商在接收调研时吐露，已往一年SiC在主驱上的渗入异常迅猛，从而致使市场对8英寸SiC衬底的需要更加火急，6英寸&8英寸转换的机遇也大大提早，的动向简直都集合在8英寸SiC衬底方面。
3M公司也暗示，中国首要的SiC衬底创造企业，近年来都在加大力度研发和投资8英寸SiC赛道，逐步追赶上泰西龙头大厂。然而，大部分企业还存在的题目，首要表当初碎片率较高，面型度较差和存在外貌划伤，此外磨抛等关头制程还存在耗材本钱和设置装备摆设投资较高、出产服从较高等题目，综合来看，业内8英寸SiC衬底磨抛良率也仅为40-50%。
据此来看，磨抛工艺或将成为海内8英寸SiC企业范围量产的。对此，很多业内厂商暗示，今朝来看，磨抛工艺并不能间接从6英寸过渡到8英寸，一方面是出于产出服从和良率的考量，另外一方面是磨抛历时和本钱也随之增添。
经由调研，“里手说三代半”发明，海内针对6英寸SiC衬底的磨抛工艺较为成熟，主要有和两种门路，支流SiC衬底供应商大多接纳双抛工艺，既是由于相沿4英寸SiC衬底的工艺习性，也是由于减薄工艺的本钱和稳定性更难操纵。
然而，关于8英寸SiC衬底，海内厂商还没有肯定哪类工艺门路加倍适宜，首要由于：
团体尺寸增添，磨抛环节更轻易遭到，良率不容易操纵，磨抛机台需求扩径以保障产能；
厚度愈来愈薄，向6英寸看齐，磨抛请求进步；有业内人士吐露，接纳沟通工艺对衬底片举行加工后，与500μm厚度衬底片相比W（全局多少畸变水平）较大，会影响后续的内涵成长环节；
如接纳激光剥离手艺，衬底片切割时毁伤层轻易加深且不稳固，普通在摆布，磨抛担负较大，如接纳减薄砂轮，消耗比例为1:1；
如接纳双抛工艺，仍需求4台设置装备摆设，工序多且综合本钱较高，接纳减薄工艺的话，虽然能缩小工序，但减薄砂轮，消耗较快，且减薄过程当中衬底片处于真空条件下，无益于BOW（团体曲折水平）、WARP的修复。
除此以外，8英寸SiC衬底的磨抛历时、本钱也将大幅进步：
以双抛工艺为例，6英寸SiC衬底磨抛历时普通为7小时摆布，8英寸SiC衬底预计历时将摆布；
相比6英寸SiC衬底，预计8英寸SiC衬底磨抛本钱将增添摆布，此中抛光液用量将增添50%-100%。
作为磨抛计划业余供应商，3M公司觉得，要解决8英寸SiC衬底的磨抛难题，除了要更新工艺设置装备摆设外，关头还在于抉择适宜的，以赞助解决大尺寸衬底加工的面型度、厚度匀称性、去除服从、外貌划伤等题目，同时还能适量缩小磨抛历时和本钱。
近日，3M公司针对8英寸SiC衬底磨抛工艺，推出了，拥有去除效率高、稳定性强、寿命长等好处，接纳该系列资料磨抛后的8英寸SiC衬底片在RA（外貌均匀粗糙度）、TTV（厚度最大差值）、BOW、WARP等关头参数方面体现优秀，比照传统磨抛计划可节减。
今朝，3M公司的磨抛计划已普遍应用于中国，并跟海内首要的设置装备摆设制造商创建慎密分工；此次推出8英寸SiC衬底磨抛计划，志在为更多进展8英寸的SiC企业供应有利助力，在磨抛环节上缩小本钱，增添服从。
完成这一目的的底气在于，3M公司针对8英寸SiC衬底的粗磨、精磨和抛光环节，在磨抛资料上分手举行专项进级，比照传统磨抛耗材，进一步保障了8英寸SiC衬底在磨抛过程当中的良率和服从：
已往，SiC衬底粗磨普通接纳铸铁盘+单晶金刚石研磨液举行双面研磨，去除速度仅为0.8-1.2μm/分钟，去除时候约要40 分钟，且衬底外貌加工后粗糙度较大，普通在50nm摆布，后续精磨和抛光历时和本钱也随之进步。
而8英寸的粗磨难度和请求无疑更大，为此，3M公司开发了和：金字塔研磨垫拥有怪异的表面设想，能大大下降8英寸晶圆的破片危险，同时拥有加强的硬度，能确保研磨的高速度和稳定性；团圆金刚石研磨浆料，针对配方的浓度、研磨团圆手艺举行进级，确保在晶圆尺寸增大的情况下，研磨速度和表面坚持同等的水准。