4月24日，据投中资本官微新闻，南京百识电子科技无限公司（如下简称百识电子）近期发布。至此，海内8英寸SiC内涵赛道又多了一个新玩家。
据了解，内涵手艺推进着相干资料的研讨和使用不息深刻，带来了加倍高效、稳固和靠得住的和器件，是首要环节之一。由此，吸收了浩繁厂商结构SiC、内涵营业，百识电子就是此中之一。
不同于部份企业同时涉足衬底与内涵手艺，百识电子自2019年成立以来，All in内涵畛域。因为其焦点团队成员来自亚洲现有第三代半导体内涵片畛域的供货商，使得百识电子熟习市场及客户分歧产物需要与痛点，可以或许举行针对性产物与手艺研发。
2023年，百识电子内涵工艺和手艺程度继续打破，3300V SiC内涵片完成高高品质出产，产物厚度匀称性1.18%，浓度匀称性1.32%，并稳固出货环球轨交头部客户。另外，超高耐压（6500V及以上）内涵手艺也获得新进展。
2024年，SiC内涵手艺和产物品质的进一步晋升，推进百识电子正式取得8英寸SiC内涵片量产才能。产物品质方面，据称，百识电子所出产的8英寸SiC内涵片品质达到国际进步前辈程度，即厚度不均匀性小于1.5%，浓度不均匀性小于4%，3mm*3mm管芯良率达到99%以上。
手艺发展方面，据悉，SiC内涵层的厚度、浓度与外貌缺点的数目会影响器件电气特点，致使SiC器件良率有所丧失。今朝普通内涵手艺只能操纵外貌尺寸较大的致命缺点，密度约莫1/cm2，外貌微坑洞数目高达每片5,000颗以上。而百识电子独占的内涵手艺可将外貌缺点数目控制在密度小于0.4/cm2，外貌微坑洞每片小于1,000个。
产能方面，百识电子首条产线于2021年投产，以后年产能达5万片。其规划近期在长三角落地二期产线，产能计划28万片/年，以期打造进步前辈的车规级三代半内涵片创造工场。继续的产能设置装备摆设，也为百识电子具有8英寸SiC内涵片量产才能供应了必定水平的支持。
此前，百识电子已可以或许可提供6英寸SiC，以及6/8英寸硅基（GaN-on-Si）内涵代工办事，在具有8英寸SiC内涵片量产才能后，百识电子营业触角将进一步向8英寸SiC畛域延长，向8英寸转型趋向下，百识电子有望跻身支流SiC厂商队列。
以后，在资料方面，SiC家当重心正慢慢向8英寸歪斜，海内浩繁厂商纷纭紧跟潮水，致力于开辟8英寸SiC产物，很多玩家在近期取得了庞大发展，此中包孕中宜创芯、青禾等。
往年2月，实验室胜利生长出河南省第一块8英寸SiC晶锭，据介绍，中宜创芯应用进步前辈的粉体合成炉和自动化无污染破裂手艺构造研发出产，拥有单炉产能大、颗粒度大、纯度高、阿尔法含量高和游离碳高等好处，更适合8英寸SiC厚单晶晶锭的成长。
而在4月，发布，其在海内领先胜利制备了8英寸SiC键合衬底。青禾晶元暗示，SiC长晶受限于成长良率低、周期长等瓶颈致使本钱居高不下，而SiC键合衬底手艺能够将高、低质量SiC衬底举行键合集成，无效应用低质量长晶衬底，与长晶手艺一起推动SiC资料本钱下降。青禾晶元本次打破8英寸SiC键合衬底制备，有望经由过程降本加快8英寸SiC衬底量产历程。
同时，8英寸SiC和研发发展比拟顺遂，规划年内送样，离终究量产供货也已为时不远，届时，芯联集成将成为8英寸SiC营垒又一个新玩家。
另外，正在与俄罗斯N公司开展“8英寸SiC圆满籽晶”项目分工。经由过程该项目，科友半导体将研发取得“无微管，低位错”圆满籽晶，而应用品质优秀的籽晶举行晶体成长，可以或许大幅下降8英寸SiC晶体外部的微管、位错等缺点密度，从而进步晶体成长的品质和良率，并推进SiC长晶炉体及工艺手艺的优化与进级，终究目标也是降本增效。
上述厂商在8英寸SiC赛道的索求与结果，有望安慰更多企业加大8英寸SiC产物研发投入。
可以或许量产8英寸SiC内涵片，意味着百识电子相干手艺已成熟，为其后续分工、供货、扩产打下了根底，有望成为其事迹增进的新引擎，也将在必定程度上助力完成8英寸SiC内涵片国产替换。
海内厂商在8英寸SiC手艺和产物方面的继续打破，在加快国产替换的同时，也经由过程降本推进SiC家当市场范围不息迈上新台阶。