高压二极管和高压硅堆的外形电路

　　低压二极管是一种耐压很高的二极管，在布局上相当于多个二极管串叠在一路构

　　成的，低压硅堆是一种布局功能与低压二极管基础沟通的元件，低压硅堆普通体积较大。

　　形状如图 4—14 所示。 　　低压二极管和低压硅堆的最高反向事情电压多在千伏以上，在电路中用作低压整流，断绝和维护，低压二极管和低压硅堆的标记与一般二极管同样，低压二极管和低压硅堆的形状。 　　使用电路 　　低压二极管的使用如图4—15所示，该电路为机械式微波炉电路，低压二极管VD用作低压整流。220V交换电压经由一系列开关后加到低压变压器T的一次绕组L上，在T的二次绕组L，上失掉3.3V的交换高压，提供给磁控管灯丝，使其发烧而易于发射电子，在T的二次绕组L，上失掉2000V摆布的交换低压，该电压经低压电容C和低压二极管VD组成的倍压整流电路后失掉4000V摆布的直流低压，送到磁控管的灯丝，使灯丝发射电子，激起磁控管产灯低压硅堆

　　L，.C. VD组成的倍压整流电路事情道理：当220V交换电压为正半周时， T的LI线圈的电压极性为上正下负， L上感应电压的极性也为上正下负， L，的上正下负电压经低压二极管VD对低压电容C充电，充电路子是L，上正—C—VD—L，下负，在低压电容C上充得左正右误期2000V的电压；当220V交换电压为负半周时， T的L线圈的电压极性为上负下正， L，上感应电压的极性为上负下正， L，的上负下正约2000V的电压与低压电容C的左正右负2000V摆布的电压叠加（能够算作两个电池叠加） ，失掉约4000V的电压，送到磁控管的灯丝，该叠加电压对低压二极管VD是反向电压，故VD不会导通。在图4—15电路中，低压二极管最高反向事情电压不克不及低于4000V，不然会被击穿毁坏。