作者 | 方文三
：今朝，资料正处在一个倏地进展的阶段，列国企业都在踊跃结构，以期在将来的环球合作中占领无利位置。跟着手艺的不息前进和使用畛域的拓展，第三代半导体资料有望在将来的电子器件市场中饰演愈来愈首要的脚色。
在的微弱推进下，第三代半导体家当正履历着前所未有的进展加速度，同时，（）和（）这两种资料也在AI领域中逐步崭露头角。
SiC和GaN以其怪异的物理性子，适宜创造低温、高频、抗辐射以及大功率的，极大地提升了体系团体的服从。
跟着AI手艺在功能性与功耗上需要的不息进步，SiC和GaN的使用上风日趋凸显。
分外值得一提的是，跟着AI手艺的发达进展，对电力的需要呈现出爆炸性增进。
面临激增的用电量，数据中央急需追寻立异的电力解决计划。
SiC和GaN以其卓着的服从体现，成为下降动力消耗、缩小设置装备摆设过热征象的关头手艺。
这不唯一助于缩小散热设置装备摆设的投入，还能显著下降体系本钱。
是以，SiC和GaN已成为数据中央优化动力服从的首要手艺抉择。
预计SiC和GaN功率器件在数据中心中的使用将加快推动。
在产业化发展方面，公司近日扩大了其SiC 产品线，推出了电压低于650V的新产品，以餍足AI日趋增进的需要。
今朝，SiC和GaN在AI服务器的使用展现出突破性的远景，这有望进一步推进包孕在内的AI的周全进展。
今朝，第三代半导体已成为环球计谋合作的首要畛域，备受各地区重点搀扶。
在此后台下，多家头部厂商如、英飞凌、安世半导体、三安光电等纷纭加速在第三代半导体畛域的结构，市场合作日趋猛烈。
针对第三代半导体产能提供严重的情形，各大厂商正踊跃应答。
此中，英飞凌规划投资70亿欧元在马来西亚安排产能，预计往年8月启用，并于2024年末开端出产SiC。
安世半导体亦投入2亿美圆用于开辟SiC和GaN等下一代隙半导体，并在德国汉堡创建出产根底办法。
Wolfspeed的Building 10 Materials工场已达成8英寸的出产目的，预计至2024年末，其莫霍克谷SiC将晋升晶圆动工利用率至约25%。
在国际方面，、SK Siltron、韩国东部高科（DB HiTek）以及无晶圆厂ABOV Semiconductor配合签订了半导体营业和谈（MOU），致力于推动“化合物进步前辈手艺开辟项目”。
该项目将起首聚焦GaN功率半导体的研发，各厂商均暗示旨在将GaN营业商业化。
韩国加大对该家当的搀扶力度，规划从往年到2028年供应1385亿韩元的资金支撑，并供应手艺支撑以促成项目进展。
值得存眷的是，三安光电与意法半导体抉择联手在中国重庆设置装备摆设一个新的8英寸碳化硅器件合股制造厂，标志着两边分工的深化。
该项目总投资约300亿元人民币，预计达产后将建成天下首条8吋和线；
具有年产48万片8吋碳化硅衬底、车规级MOSFET功率的出产才能，预计营收将达170亿人民币，无力推进重庆打造第三代化合物半导体之都。
另外，三安半导体在湖南的碳化硅半导体产业化项目亦获得显著发展。
湖南三安项目后续扩产将首要出产8英寸SiC产物，今朝8英寸SiC衬底已开端试产，SiC芯片预计于12月投产。
第三代半导体资料行业涵盖了多元化的产物与环节，此中在碳化硅衬底畛域，行业内的领军企业包孕天岳进步前辈、天科合达及河北网光等。
而在碳化硅内涵畛域，瀚天天成与普兴电子等企业体现凸起；
氮化镓衬底畛域则由纳威科、天科合达、中镓半导体与芯源基等企业占领当先位置；
碳化镓内涵畛域则以中国电科、精深半导体、江苏能华等企业为代表。
以后，我国第三代半导体资料行业已开端构成五大重点进展地区，包孕京津冀鲁、长三角、珠三角、闽三角及中西部，每一个集群均展现出其怪异的进展特色。
从地区漫衍来看，第三代半导体资料行业的产业链企业在天下绝大多半省分均有结构。
此中，河南省的第三代半导体资料企业数目最为集合，山东、江苏和甘肃等省分的企业数目也相对于较多。
2023年，天岳先进在导电型碳化硅衬底产能及规模化提供才能方面继续获得超预期结果。
其碳化硅半导体资料项目预计将于2026年完成周全达产，届时6英寸导电型碳化硅衬底的年产能将达到30万片。
同年5月，天科合达与英飞凌签订了长时间提供和谈，将为其供应用于创造碳化硅半导体产物的6英寸碳化硅衬底和晶锭，预计供应量将占领英飞凌长时间需求量的两位数份额。
2023年8月，天科合达的全资子公司江苏天科合达碳化硅衬底二期扩产项目正式动工。
据悉，该项目将新增16万片碳化硅衬底产能，并规划于往年6月实现设置装备摆设，8月竣工投产，届时江苏天科合达的总产能将达到23万片。
客岁12月22日，国盛电子南京内涵资料家当基地项目胜利下线了第一枚硅基氮化镓（GaN on Si）内涵片。
而在2023年11月，贺利氏发布收买始创企业Zadient Technologies，正式进军碳化硅粉料和碳化硅晶锭成长畛域。
另外，百识电子自2019年8月成立以来，专一于出产碳化硅及氮化镓相干内涵片，涵盖GaN on Silicon、GaN on Sic以及SiC on SiC等多个使用畛域，服务于功率及微波等畛域。
客岁10月末，特思迪完成为了B轮融资，其研发的8英寸碳化硅全自动减薄设置装备摆设已投入市场，而8英寸双面抛光设置装备摆设也已经由过程工艺测试并进入量产阶段。
同时，中国一汽正踊跃增强碳化硅项目设置装备摆设，其M220 SiC电驱已完成量产下线，M190-150（SiC）电驱出产预备设置装备摆设项目亦在拟审批阶段。
芯塔电子SiC模块已完成多量托付，湖州功率模块产线总投资1亿元，预计于2024岁首年月正式通线，预计达产后将年产100万套功率模块，年产值预估达3亿元。
冠岚新材料亦签约年产1600吨碳化硅衬底资料项目，其产物已获国内外多家客户认证。
另外，总投资50亿的中顺通利半导体功率器件项目亦已签约，拟设置装备摆设特种及车规级功率器件封装测试生产线、集团企业总部集群等。
从行业合作款式的视角扫视，美国、欧洲和日本的企业在SiC行业处于当先位置，而海内厂商则显示出加快替换的趋向。
在详细参与者方面，功率半导体和平台企业进献显著，如美国的Wolfspeed、II-VI、，欧洲的ST意法和英飞凌，以及日本的、三菱、富士等，均为行业内的佼佼者。
从细分市场视察，第三代半导体的市场集中度极高。此中，SIC功率器件市场，CREE、ROHM、、、ST五家厂商占领环球80%的市场份额；
GaN功率器件市场，EPC、Transphorm、GaN system、Infineon五家厂商占领环球90%的市场份额；
而GaN射频器件市场，日本住友、CREE、Qorvo五家厂商占领环球85%的市场份额。
据YOLE、亿渡数据等威望机构宣布的呈报，2021年第三代半导体环球市场范围约为21.39亿美圆，预计至2027年，该市场将达到88.96亿美圆，年均复合增速（CAGR）高达26.81%。
特别是在、动力、通信等畛域，第三代半导体有望完成爆发式增进。
关于海内市场，依据前瞻家当研究院的数据，2020年我国第三代半导体产值已达到105亿元，预计到2027年，产值有望达到700亿元，年均复合增速高达32%，显示出该家当的高景气宇和高技术含量。
预计至2027年，碳化硅器件中的功率器件市场范围将从2021年的10.90亿美金增进至62.97亿美金，复合年增长率约34%。
环球新能源汽车功率范围预计在2025年达到72.7亿美圆，CAGR为43.6%，至2030年市场范围有望打破171.2亿美圆。
据TrendForce集邦征询研讨，2023年环球SiC功率器件市场范围约为30.4亿美圆，预计至2028年将上升至91.7亿美圆，CAGR达25%；
而环球GaN功率器件市场范围将从2022年的1.8亿美金增长到2026年的13.3亿美金，CAGR高达65%。
头部企业经由过程上述计谋，不仅在手艺、产能和市场结构上取得了上风应答将来大概的市场变迁做好了预备。
这场环抱第三代半导体焦点环节争取，不仅是手艺比力，更是产业链整合才能和市场洞察力的比拼。
厂商们需要在资料研发、器件设想创造工艺、封装测试等多个环节完成协同立异，才能在合作中脱颖而出部份材料参考环球半导体视察掠夺赛位，第三代半导体战局猛烈研讨：《洞察2024：中国第三代半导体资料行业合作款式及市场份额》，上海长三角家当赋能研究院：《第三代半导体家当合作款式、国产化进展趋向》，科技导报：《第三代半导体进展现状及将来预测》，半导体行业视察：《第三代半导体顶峰对决》，集成思绪：《第三代半导体行业加快进展，新能源产业链增进驱动焦点竞争力》