咱们本日看到80%以上的都是用出产的，而不是用本日热点的、砷化镓、等资料出产。这是为何？
在抉择用于出产芯片的资料时，需求思量如下几个首要要素：
电子特点：资料必需具有精良的特点，能无效操纵电子的活动。
晶体布局：资料需求拥有高质量的布局，以缩小缺点和进步芯片的功能。
本钱：资料的本钱需求相对于昂贵，以便大规模出产。
加工性：资料需求易于加工和制备，可以或许顺应现有的创造工艺。
热稳定性：资料必需可以或许经受创造过程当中低温环境下的功能变迁。
图：硅的SEMI规范
硅是一种异常优异的，其带隙为1.12 eV，适中且适宜多半电子器件的事情需要。硅的电子迁移率和空穴迁移率也较为现实，适宜创造高性能的芯片。
硅可以或许经由过程直拉法（Czochralski法）和区熔法等工艺制备出高质量的大尺寸单晶。硅晶体布局美满，晶格缺点少，有利于出产高性能的。
图：硅晶圆的出产进程
硅是地壳中含量第二厚实的元素（约占26.7%），其原材料（石英）异常厚实且便宜。相较于其余半导体资料如砷化镓（GaAs）和碳化硅（），硅的提取和制备本钱显著较低。
硅拥有精良的机器强度和化学稳定性，可以或许经受庞杂的创造工艺。现有的工艺（光刻、散布、等）都是基于硅资料开辟的，是以硅晶圆的加工工艺成熟且成本低。
硅在低温下拥有优秀的稳定性，可以或许在高达1100°C的温度下坚持其晶体布局和功能稳固。这使得硅可以或许顺应当代中低温工艺步调的需要。
虽然有其余资料如砷化镓（GaAs）、碳化硅（SiC）和氮化镓（）等，它们也具有良好的半导体特点，但它们在本钱、加工性、热稳定性等方面存在一些挑衅：
砷化镓（GaAs）：电子迁移率高，但资料脆性大，创造本钱高，且不容易制备大尺寸单晶。
碳化硅（SiC）：带隙宽，适宜低温低压使用，但晶体成长艰苦，本钱高。
氮化镓（GaN）：拥有良好的电子特点和热稳定性，但资料合成庞杂，本钱高。
实在，硅作为半导体资料拥有多方面的上风，包孕精良的半导体特点、高质量的晶体布局、昂贵的本钱、成熟的加工工艺和优秀的热稳定性。这些要素使得硅成为创造芯片的首选资料，虽然在特定使用畛域其余资料也有其怪异的上风。