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CSD18511Q5A_晶体管-FET,MOSFET-单个德州仪器(TI)






包装信息



















包装|销 包装数量|承运商: 工作温度范围(°C)
VSONP(DQJ)| 8 2500 |大型T&R 可提供定制卷盘 -55至150



















包装|销 VSONP(DQJ)| 8
包装数量|承运商: 2500 |大型T&R 可提供定制卷盘
工作温度范围(°C) -55至150



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CSD18511Q5A的特点



  • 低RDS(开)

  • 低热阻

  • 额定雪崩

  • 逻辑电平

  • 无铅端子板

  • 符合RoHS

  • 无卤素

  • SON 5-mm×6-mm塑料包装




CSD18511Q5A的说明


这个40伏,1.9兆欧,子5×6毫米NexFET? 功率MOSFET被设计用于将功率转换应用中的损耗降到最低。





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