包装信息
| 包装|销 | 包装数量|承运商： | 工作温度范围（°C） |
|---|---|---|
| SOIC（DW）| 16 | 2000 |大型T&R 可提供定制卷盘 | -40至125 |
| 包装|销 | SOIC（DW）| 16 |
|---|---|
| 包装数量|承运商： | 2000 |大型T&R 可提供定制卷盘 |
| 工作温度范围（°C） | -40至125 |
ISO5500的特点
- 2.5-A最大峰值输出电流
- 将IGBT驱动到IC级=150安，伏总工程师=600伏
- 电容隔离故障反馈
- CMOS/TTL兼容输入
- 300 ns最大传播延迟
- 软IGBT关断
- 集成故障安全IGBT保护
- 高电压总工程师（DESAT）检测
- 欠压闭锁（UVLO）保护有滞后
- 用户可配置功能
- 反相、同相输入
- 自动复位
- 自动关机
- 宽V形CC1号范围：3 V至5.5 V
- 宽V形二氧化碳范围：15 V至30 V
- 工作温度：-40°C至125°C
- 宽体SO-16组件
- ±50 kV/?s典型瞬态抗扰度
- 安全和监管批准：
- VDE 6000伏主键基本隔离符合DIN V VDEV 0884-10（VDE V 0884-10）和DIN EN61010-1
- 4243伏有效值每UL隔离一分钟1577
- CSA部件验收通知#5A，IEC61010-1和IEC 60950-1终端设备标准
ISO5500的说明
ISO5500是IGBT和MOSFET的隔离栅极驱动器，额定功率高达IC级=150 A和V总工程师=600 V。输入TTL逻辑和输出功率级由电容性二氧化硅（SiO）隔开2)，隔离栅。当与隔离电源一起使用时，该装置可阻断高压，隔离地面，并防止噪声电流进入本地地面，干扰或损坏敏感电路。
该器件为IGBT或MOSFET提供过流保护（DESAT），同时欠压锁定电路（UVLO）监测输出电源以确保足够的栅极驱动电压。如果输出电压降到12V以下，UVLO通过将栅极驱动输出驱动到逻辑低状态来关闭功率晶体管。
对于DESAT故障，ISO5500启动软关机程序，将IGBT/MOSFET电流缓慢降至零，同时防止di/dt引起的电压峰值过大。然后，故障信号通过隔离栅传输，主动驱动开漏断层输出低并禁用设备输入。只要断层-pin低。断层保持低电平，直到输入配置为输出低电平状态，然后是上的逻辑低电平输入复位别针。
ISO5500采用16针SOIC封装，适用于–40°C至125°C的工作温度。