我们都知道，源极之间的 mosfet 栅极和漏极是介电层，因此在栅极和漏极之间一定有一个寄生电容在 cgs 和 cgd 之间，沟道没有形成，漏极之间也有一个寄生电容的 cds，所以在考虑寄生电容时，mosfet 等效电路如图2所示。
我们都应该知道，MOSFET的栅极和漏极之间有介质层，所以栅极和漏极之间必然存在寄生电容CGS和CGD。当没有形成沟道时，漏极和源极之间也存在寄生电容CDS。因此，当考虑寄生电容时，MOSFET的等效电路将如图2所示。但是，我们在MOSFET数据手册中一般看不到这三个参数，手册中给出的参数是CISS、COSS和CRSS(见图1)。
图 1 某数据技术手册进行关于寄生电容的描述
他们与CGS、CGD、CDS的关系如下：
Sith (CGS) CGD (CDS plus pictured), Corsese s CDS s CGD, Klaas s CGD
图2考虑寄生电容的 mosfet 模型
让我们看看这些寄生参数是如何影响开关速度的。如图3所示，当驱动信号UI出现时，MOSFET处于关闭状态。此时，CGS和CGD上的电压为UGS=0，ugd=-VDD，CGS和CGD上的电荷量为Qgs=0，QGD=ugdcgd=vddcgd。接下来，UI通过RG对CGS充电，UGS逐渐增大（在这个过程中，随着UGS的增大，CGD也会放电，但由于VDD比UGS大得多，CGD不会导致栅极电流的显著增大）。当UGS达到阈值电压时，一个电流开始流过MOSFET（事实上，当UGS没有达到阈值电压时，一个小电流已经流过MOSFET）。MOSFET上的电压降开始从原来的VDD下降，CGD上的电压也会下降。然后，它将伴随着CGD的释放。
由于CGD上的电荷量QGD=vddcgd较大，放电时间较长。在放电期间，栅极电流基本上用于CGD的放电，因此栅极源极电压的增加变慢。放电后，UI继续通过RG对CGS和CGD充电（因为此时MOSFET完全导通，相当于CGS和CGD并联），直到栅极源电压达到UI，开启过程完成。图4中的曲线很好地描述了在传导过程中UGS随时间的变化曲线。应该注意的是，实际曲线不是一条直线，因为驱动器不提供电流源。图4仅表示上升趋势。
图 3 考虑一个寄生系统电容时的MOSFET驱动控制电路
图4脉冲驱动下MOSFET的栅源电压上升曲线
同时，不难从上图 3 中看到 RG 越大，寄生电容器的充电时间越长。显然，当 RG 过大时，MOSFET 不会在短时间内完全打开。在高速交换应用程序（例如 D 类放大器、切换电源）中，这种电阻通常Ω到数十Ω。但是，即使在低速时，RG 也不适合太多，因为太大的 RG 可以延长电容器充电时间，即从关闭到完全打开的过渡时间。在此期间，MOSFET 是饱和的（放大区），管子可以承受大电压和电流，从而产生较大的功耗。但是，如果 RG 太小或直接短路，在驱动电压到达的那一刻，由于寄生电容器上的电压为零，前台需要通过大电流流动，导致前驱动电路受到冲击。
图5显示了高速开关应用中常用的MOSFET驱动电路，它满足了由一对互补BJT组成的发射极跟随器形式的驱动电流要求。Q1用于寄生电容器通电时充电，Q2用于寄生电容器关断时放电。有时我们需要更快的关机速度。通常，快速恢复二极管并联在栅极电阻器R1上，因此放电电路将通过二极管而不是电阻器。
图5常用高速驱动电路
图6具有增加的泄放电阻的驱动电路
在实际发展应用中，我们国家通常还会在MOSFET的栅源之间进行并联作为一个几KΩ到上百K Ω的电阻（如图 6 的R2），这是企业为了在输入栅源电压以及不确定时（如前级驱动系统电路控制失效），防止 MOSFET 处于一种非理性心理状态。
图7剩余电荷导致MOSFET导通的实验电路
我们可以做一个实验，图7中的电路连接，我们发现，即使门被悬挂，LED 也会发光。这表明门源之间出现高于阈值的电压，这是由寄生电容器上的残留电荷引起的。剩余电荷导致 UGS 超过阈值电压，但不足以完全打开 MOSFET。因此，MOSFET 处于放大状态（饱和区），管子耗电量大，导致设备损坏。此行为更有可能在低阈值电压下发生在 MOSFET 中。为了防止这种情况发生，寄生电容器的残留电荷通常通过门源之间的让步电阻器排出。