什么是锗二极管
锗二极管是由锗材料制成的二极管。在几乎所有的电子电路中,半导体二极管都被使用,它在许多电路中起着重要的作用。它是最早的半导体器件之一,应用广泛。
锗二极管的死区电压
锗二极管导通电压为0.1V-0.3V,一般取0.2V,死区控制电压为0.1V左右;
硅二极管的导通电压为0.5 v-0.8 v,一般为0.7 v,死区电压约为0.5 v。
二极管和硅二极管有什么区别?
硅和锗二极管的特性曲线以下列方式不同:
1)硅二极管的反向电流比锗二极管小得多,锗管为ma级,硅管为nA级。这是因为锗的ni在相同温度下比硅高三个数量级左右,所以硅的少子浓度比相同掺杂浓度的锗低很多,所以硅管的反向饱和电流Is很小。
2) 在正向影响电压很小时,通过一个二极管的电流变化很小,只有具有正向工作电压可以达到企业某一具体数值Ur后,电流才明显经济增长。通常把电压Ur称为一种二极管的门限进行电压,也称为死区控制电压或阈值以及电压。由于硅二极管的Is远小于锗二极管的Is,所以硅二极管的门限系统电压是否大于锗二极管的门限电压。一般硅二极管的门限电压范围约为0.5V~0.6V, 锗二极管的门限电压质量约为0.1V~0.2V。