CSD17313Q2Q1数据手册PDF_CSD17313Q2Q1中文资料-锐单商城

CSD17313Q2Q1概述

TEXAS INSTRUMENTS CSD17313Q2Q1 晶体管, MOSFET, N沟道, 5 A, 30 V, 0.024 ohm, 8 V, 1.3 V

NexFET™ 功率 MOSFET 旨在最大程度减少电源转换中的损失，并针对 5V 栅极驱动应用进行了优化。 2mm x 2mm SON 提供针对封装尺寸的出色散热性能。

顶视图受限封装脉冲持续时间 ≤ 300μs，占空比 ≤ 2%

.: 符合汽车应用要求

.: 针对 5V 栅极驱动进行了优化

.: 超低 Qg和 Qgd

.: 低热阻

.: 无铅

.: 符合 RoHS 标准

.: 无卤素

.: 小外形尺寸无引线 SON 2mm × 2mm 塑料封装

CSD17313Q2Q1替代型号

CSD17313Q2Q1详细参数

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