INFINEON IGP30N60H3XKSA1 单晶体管, IGBT, 30 A, 2.4 V, 187 W, 600 V, TO-220, 3 引脚
TrenchStop IGBT ,600 和 650V
一系列 Infineon IGBT 晶体管,集电极-发射器电压额定值为 600 和 650V,采用 TrenchStop™ 技术。该系列包括带有集成高速、快速恢复反并联二极管的设备。
集电极-发射器电压范围为 600 至 650V
极低的 VCEsat
低断开损耗
短尾线电流
低 EMI
最大接点温度为 175°C
得捷:
IGBT 600V 60A 187W TO220-3
欧时:
Infineon IGP30N60H3XKSA1 N沟道 IGBT, Vce=600 V, 60 A, 1MHz, 3引脚 TO-220AB封装
贸泽:
IGBT 晶体管 IGBT PRODUCTS
e络盟:
单晶体管, IGBT, 30 A, 2.4 V, 187 W, 600 V, TO-220, 3 引脚
艾睿:
Trans IGBT Chip N-CH 600V 60A 187000mW 3-Pin3+Tab TO-220AB Tube
安富利:
Trans IGBT Chip N-CH 600V 60A 3-Pin TO-220AB Tube
Chip1Stop:
Trans IGBT Chip N-CH 600V 60A 3-Pin3+Tab TO-220AB
Verical:
Trans IGBT Chip N-CH 600V 60A 187000mW 3-Pin3+Tab TO-220AB Tube
Newark:
# INFINEON IGP30N60H3XKSA1 IGBT Single Transistor, 30 A, 2.4 V, 187 W, 600 V, TO-220, 3 Pins
Win Source:
IGBT 600V 60A 187W TO220-3 / IGBT Trench Field Stop 600 V 60 A 187 W Through Hole PG-TO220-3-1
型号 | 品牌 | 下载 |
---|---|---|
IGP30N60H3XKSA1 | Infineon 英飞凌 | 下载 |
IGP30N65H5XKSA1 | Infineon 英飞凌 | 下载 |
IGP30N65F5XKSA1 | Infineon 英飞凌 | 下载 |
IGP30N60H3 | Infineon 英飞凌 | 下载 |
IGP30N60T | Infineon 英飞凌 | 下载 |
IGP30N65H5 | Infineon 英飞凌 | 下载 |
IGP30N65F5 | Infineon 英飞凌 | 下载 |