TPCP8J01 FET+BJT复合场效应管 -32V 50V marking/标记 8J01 ps-8
最大源漏极电压VdsDrain-Source Voltage| MOSFET P-Channel \---|--- 最大栅源极电压Vgs±Gate-Source Voltage| -32V 最大漏极电流IdDrain Current| 20V 源漏极导通电阻RdsDrain-Source On-State Resistance| -5.5A 开启电压Vgs(th)Gate-Source Threshold Voltage| 35mΩ@ VGS = -10V, ID = -3000mA 耗散功率PdPower Dissipation| 9.6s@VDS=-10V,Id=-3A Description & Applications| 描述与应用| -0.8~-2.0V
Win Source:
TOSHIBA Multi-chip Device Silicon P Channel MOS Type U-MOSIV /Silicon NPN Epitaxial Type
型号 | 品牌 | 下载 |
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TPCP8J01 | Toshiba 东芝 | 下载 |
TPCP8003-HTE85L,F | Toshiba 东芝 | 下载 |
TPCP8001-HTE85LFM | Toshiba 东芝 | 下载 |
TPCP8005-HTE85L,F | Toshiba 东芝 | 下载 |
TPCP8401TE85L,F | Toshiba 东芝 | 下载 |
TPCP8004TE85L,F | Toshiba 东芝 | 下载 |
TPCP8103-HTE85LFM | Toshiba 东芝 | 下载 |
TPCP8302TE85L,F | Toshiba 东芝 | 下载 |
TPCP8102TE85L,F | Toshiba 东芝 | 下载 |
TPCP8206,LFCM | Toshiba 东芝 | 下载 |
TPCP8203TE85L,F | Toshiba 东芝 | 下载 |