BF545C

BF545C N沟道MOSFET 30V 10mA SOT-23/SC-59 marking/标记 M67 低噪声增益控制放大器

最大源漏极电压Vds Drain-Source Voltage| 30V \---|--- 最大栅源极电压Vgs± Gate-Source Voltage| 30v 最大漏极电流Id Drain Current| 10mA 源漏极导通电阻ΩRds DΩ/Ohmain-SouΩ/Ohmce On-State Ω/Ohmesistance| 开启电压Vgs（th） Gate-Source Threshold Voltage| -0.4--2.2 耗散功率Pd Power Dissipation| 250mW/0.25W Description & Applications| N-channel silicon junction field-effect transistors N-channel symmetrical silicon junction field-effect transistors in a SOT23 package. Features and benefits Low leakage level typ. 500 fA High gain Low cut-off voltage max. 2.2 V for BF545A. 描述与应用| 硅N沟道结型场效应晶体管 对称N沟道硅结型场效应晶体管采用SOT23封装 低漏级（典型值500 FA） 高增益 低截止电压（最大2.2 V BF545A）