SIA437DJ-T1-GE3数据手册PDF_SIA437DJ-T1-GE3中文资料-锐单商城

SIA437DJ-T1-GE3概述

VISHAY SIA437DJ-T1-GE3 晶体管, MOSFET, P沟道, -29.7 A, -20 V, 0.012 ohm, -4.5 V, -400 mV

The is a 20VDS TrenchFET® P-channel enhancement-mode Power MOSFET suitable for load switch and battery switch applications.

.: Thermally enhanced PowerPAK® package

.: Small footprint area

.: Low ON-resistance

.: 100% Rg tested

.: Halogen-free

.: -55 to 150°C Operating temperature range

SIA437DJ-T1-GE3详细参数

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