V20DM120C-M3/I

V20DM120C-M3/I概述

TMBS - Trench MOS 势垒肖特基整流器,高达 20A,Vishay SemiconductorVishay 的 Trench MOS 势垒肖特基 TMBS 整流器系列包含专利 Trench 结构。 与平面肖特基整流器相比,TMBS 整流器可提供多个优势。 工作电压为 45V 及更高时平面肖特基整流器就失去了其快速转换速度的优势,且低正向压降到极度程度。 专利型 TMBS 结构通过少量缩减向漂移区域的载体注入来解决这些问题,从而最大程度减少积累电荷并提高转换速度。### 特点专利 Trench 结构 提高交流/直流开关模式电源和直流/直流转换器的效率 高功率密度和低正向电压 ### 肖特基整流器,Vishay Semiconductor

The is a Dual Trench MOS Barrier Schottky Rectifier with solderable matte tin-plated terminals. It is suitable for use in high frequency DC/DC converters, switching power supplies, free-wheeling diodes, OR-ing diode and reverse battery protection.

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Very low-profile
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Ideal for automated placement
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Low forward-voltage drop, low power losses
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High efficiency operation
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Halogen-free
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AEC-Q101 qualified
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UL94V-0 Flammability rating
V20DM120C-M3/I数据文档
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V20DM120C-M3/I

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