BSO080P03NS3EGXUMA1

Infineon OptiMOS 3 系列 Si P沟道 MOSFET BSO080P03NS3EGXUMA1, 14.8 A, Vds=30 V, 8引脚 DSO封装

I OptiMOS™3 功率 MOSFET，高达 40V

OptiMOS™产品提供高效能封装，以解决最具挑战性的应用，在有限空间内提供完全的灵活性。 这些 Infineon 产品经的设计符合并超过计算机应用中更严格的下一代电压调节标准的能效和功率密度要求。

快速切换 MOSFET，用于 SMPS

优化技术，用于直流/直流转换器

符合目标应用的 JEDEC1 规格

N 通道，逻辑电平

极佳的栅极电荷 x R DSon 产品 FOM

极低导通电阻 R DSon

无铅电镀

得捷:
MOSFET P-CH 30V 12A 8DSO

欧时:
Infineon OptiMOS 3 系列 Si P沟道 MOSFET BSO080P03NS3EGXUMA1, 14.8 A, Vds=30 V, 8引脚 DSO封装

贸泽:
MOSFET SMALL SIGNAL+P-CH

e络盟:
晶体管, MOSFET, P沟道, -12 A, -30 V, 0.0067 ohm, -10 V, -2.5 V

艾睿:
Amplify electronic signals and switch between them with the help of Infineon Technologies&s; BSO080P03NS3EGXUMA1 power MOSFET. Its maximum power dissipation is 1600 mW. This product will be shipped in tape and reel packaging so that components can be mounted effectively. This MOSFET transistor has an operating temperature range of -55 °C to 150 °C. This device utilizes optimos technology. This P channel MOSFET transistor operates in enhancement mode.

Verical:
Trans MOSFET P-CH 30V 12A Automotive 8-Pin DSO T/R