IHW30N135R3FKSA1

INFINEON  IHW30N135R3FKSA1  单晶体管, IGBT, 60 A, 1.65 V, 349 W, 1.35 kV, TO-247, 3 引脚

TrenchStop IGBT ，电压 1100 至 1600V

一系列 Infineon 的 IGBT 晶体管，带电压额定值为 1100 至 1600V 的集电极-发射极，采用 TrenchStop™ 技术。该系列包括带集成高速、快速恢复防并联二极管的设备。

• 集电极-发射极电压范围 1100 至 1600V

• 极低 VCEsat

• 低关闭损耗

• 短尾线电流

• 低 EMI

• 最高接点温度 175°C

欧时:
Infineon IHW30N135R3FKSA1 N沟道 IGBT, 30 A, Vce=1350 V, 3引脚 TO-247封装

得捷:
IGBT 1350V 60A 349W TO247-3

艾睿:
Trans IGBT Chip N-CH 1350V 60A 349000mW 3-Pin3+Tab TO-247 Tube

安富利:
Trans IGBT Chip N-CH 1.35KV 60A 3-Pin TO-247 Tube

Chip1Stop:
Trans IGBT Chip N-CH 1.35KV 60A 3-Pin3+Tab TO-247 Tube

TME:
Transistor: IGBT; 1.35kV; 30A; 175W; TO247-3

Verical:
Trans IGBT Chip N-CH 1350V 60A 349000mW 3-Pin3+Tab TO-247 Tube

Newark:
# INFINEON  IHW30N135R3FKSA1  IGBT Single Transistor, 60 A, 1.65 V, 349 W, 1.35 kV, TO-247, 3