RTL035N03

RTL035N03 N沟道MOSFET 30V 3.5A TUMT6/SOT-363/SC70-6/TSSOP6/SC-88 marking/标记 pm 低噪声/高增益/高AGC范围

最大源漏极电压Vds Drain-Source Voltage| 30V \---|--- 最大栅源极电压Vgs± Gate-Source Voltage| 12V 最大漏极电流Id Drain Current| 3.5A 源漏极导通电阻ΩRds DΩ/Ohmain-SouΩ/Ohmce On-State Ω/Ohmesistance| 79mΩ@ VGS =2.5V, ID =3.5A 开启电压Vgs（th） Gate-Source Threshold Voltage| 0.5~1.5V 耗散功率Pd Power Dissipation| 2W Description & Applications| 2.5V Drive Nch MOS FET Features 1 Low on-resistance. 2 Space saving, small surface mount package . 3 Low voltage drive. Applications Switching 描述与应用| 2.5V驱动N沟道MOS FET 特点 1）低导通电阻。 2）节省空间，小的表面贴装封装。 3）低电压驱动。 应用 开关