STGF10NB60SD

STMICROELECTRONICS  STGF10NB60SD  单晶体管, IGBT, 20 A, 1.8 V, 25 W, 600 V, TO-220FP, 3 引脚

IGBT 分立，STMicroelectronics

### IGBT 分立件和模块，STMicroelectronics

绝缘栅级双极性或 IGBT 是一种三端子功率半导体设备，以高效和快速切换著称。 IGBT 通过将用于控制输入的隔离栅极 FET 和用作开关的双极性功率晶体管组合在单个设备中，将 MOSFET 的简单栅极驱动特性与双极性晶体管的高电流和低饱和电压能力组合在一起。

欧时:
STMicroelectronics STGF10NB60SD N沟道 IGBT, 23 A, Vce=600 V, 3引脚 TO-220FP封装

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STGF10NB60SD

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IGBT 600V 23A 25W TO220FP

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IGBT 晶体管 N-Ch 600 Volt 10 Amp

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单晶体管, IGBT, 20 A, 1.8 V, 25 W, 600 V, TO-220FP, 3 引脚

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Trans IGBT Chip N-CH 600V 23A 25000mW 3-Pin3+Tab TO-220FP Tube

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# STMICROELECTRONICS  STGF10NB60SD  IGBT Single Transistor, 20 A, 1.8 V, 25 W, 600 V, TO-220FP, 3 Pins

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