SI4814BDY-T1-E3

SI4814BDY-T1-E3概述

Trans MOSFET N-CH 30V 7.5A/7.8A 8Pin SOIC N T/R

Surface Mounting and SO-8 Package Dual N-Channel 30 V Voltage D-S Power MOSFET

* Current drain is 10 A channel1, 10.5 A channel2

* Operating and storage temperature is -55 °C to +150 °C

Resistance drain to source on 0.0145 Ohms channel1, 0.015 Ohms channel2. Power dissipation is 3.3 W channel1, 3.5 W channel2.


艾睿:
Trans MOSFET N-CH 30V 7.5A/7.8A 8-Pin SOIC N T/R


Allied Electronics:
MOSFET, Power; Dual N-Channel; 0.0145 Ohms Channel1, 0.015 Ohms Channel2


安富利:
Trans MOSFET N-CH 30V 7.5A/7.8A 8-Pin SOIC N T/R


SI4814BDY-T1-E3数据文档
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SI4814BDY-T1-E3

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