NPN硅外延平面型*低频放大特点*高正向电流传输比HFE。*低集电极到发射极饱和电压VCE（SAT）*高发射器基极电压VEBO。
集电极-基极反向击穿电压VBRCBOCollector-Base VoltageVCBO| 100V \---|--- 集电极-发射极反向击穿电压VBRCEOCollector-Emitter VoltageVCEO| 100V 集电极连续输出电流ICCollector CurrentIC| 50mA 截止频率fTTranstion FrequencyfT| 90MHz 直流电流增益hFEDC Current GainhFE| 600~1200 管压降VCE（sat）Collector-Emitter Saturation Voltage| 50mV 耗散功率PcPower Dissipation| 150mW/0.15W Description & Applications| Silicon NPN epitaxial planer type| 型号 | 品牌 | 下载 |
|---|---|---|
| 2SD1824GSL | Panasonic 松下 | 下载 |
| 2SD1383KT146B | ROHM Semiconductor 罗姆半导体 | 下载 |
| 2SD1834T100 | ROHM Semiconductor 罗姆半导体 | 下载 |
| 2SD1048-6-TB-E | ON Semiconductor 安森美 | 下载 |
| 2SD1012F-SPA-AC | ON Semiconductor 安森美 | 下载 |
| 2SD1012F-SPA | ON Semiconductor 安森美 | 下载 |
| 2SD1618S-TD-E | ON Semiconductor 安森美 | 下载 |
| 2SD1012G-SPA-AC | ON Semiconductor 安森美 | 下载 |
| 2SD1012G-SPA | ON Semiconductor 安森美 | 下载 |
| 2SD1620-TD-E | ON Semiconductor 安森美 | 下载 |
| 2SD1623T-TD-E | ON Semiconductor 安森美 | 下载 |