SGM2014AM

SGM2014AM MESFET-N沟道 12V 8mA-28mA -2.5V SOT-143 marking/标记 DA 高频应用/低噪音/低交叉调制

最大源漏极电压VdsDrain-Source Voltage| 12V \---|--- 栅源极击穿电压VBRGSGate-Source Voltage| -5V 漏极电流Vgs=0VIDSSDrain Current| 8mA-28mA 关断电压VgsoffGate-Source Cut-off Voltage| -2.5V 耗散功率PdPower Dissipation| 150mW/0.15W Description & Applications| GaAs N-channel Dual Gate MES FET Description The is an N-channel dual gate GaAs MES FET for UHF band low-noise amplification. This FET is suitable for a wide range of applications including TV tuners, cellular radios, and DBS IF amplifiers. UHF band amplifier,mixer and oscillator Low voltage operation Low noise High gain Low cross-modulation High stability Built gate-protection diode 描述与应用| 砷化镓N沟道双栅MES FET 描述 在该SGM2014AM是一个N沟道双栅砷化镓 MES 场效应管为UHF频段的低噪声放大。这FET是一个适用于广泛的应用，包括电视调谐器，移动设备和DBS中频放大器。 超高频频段的放大器，混频器和振荡器 低电压操作 低噪音 高增益 低交叉调制 高稳定性 内置栅极保护二极管