BSH201

BSH201概述

BSH201 P沟道MOS场效应管 -60V -300mA 2.1ohm SOT-23 marking/标记 WJ6 低开启电压 快速开关

最大源漏极电压VdsDrain-Source Voltage| -60V \---|--- 最大栅源极电压Vgs±Gate-Source Voltage| 20V 最大漏极电流IdDrain Current| -0.3A 源漏极导通电阻RdsDrain-Source On-State Resistance| 2.1Ω @-160mA,-10V 开启电压Vgs(th)Gate-Source Threshold Voltage| -1V 耗散功率PdPower Dissipation| 417mW/0.417W Description & Applications| Simple Drive Requirement Small Package Outline Surface Mount Device 描述与应用| 简单的驱动要求 小封装 表面贴装设备


贸泽:
NXP Semiconductors


Win Source:
P-channel enhancement mode MOS transistor


BSH201数据文档
型号 品牌 下载
BSH201

NXP 恩智浦

下载
BSH201,215

NXP 恩智浦

下载
BSH202

NXP 恩智浦

下载
BSH205

NXP 恩智浦

下载
BSH205,215

NXP 恩智浦

下载
BSH205G2

NXP 恩智浦

下载
BSH207,135

NXP 恩智浦

下载
BSH203

NXP 恩智浦

下载
BSH203,215

NXP 恩智浦

下载
BSH202,215

NXP 恩智浦

下载
BSH205G2R

NXP 恩智浦

下载

锐单商城 - 一站式电子元器件采购平台