-30V,-2.6A,P沟道MOSFET
最大源漏极电压VdsDrain-Source Voltage| -30V \---|--- 最大栅源极电压Vgs±Gate-Source Voltage| 20V 最大漏极电流IdDrain Current| -2.6A 源漏极导通电阻RdsDrain-Source On-State Resistance| 0.097Ω @-2.6A,-10V 开启电压Vgs（th）Gate-Source Threshold Voltage| -1--3V 耗散功率PdPower Dissipation| 1.4W Description & Applications| Features VDS V = -30V ID = -2.6 A VGS = -10V RDSON < 130mΩ VGS = -10V RDSON < 200mΩ VGS = -4.5V 描述与应用| VDS（V）=-30V ID=-2.6 A（VGS=-10V） RDS（ON） <130mΩ（VGS=-10V） RDS（ON） <200MΩ（VGS=-4.5V）
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MOSFET P-CH 30V 2.6A SOT23-3L
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P沟道 30V 2.6A
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Transistor: P-MOSFET; unipolar; -30V; -2.2A; 1W; SOT23
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MOSFET P-CH 30V 2.6A SOT23
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|---|---|---|
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