IRF8707GPBF

IRF8707GPBF概述

Trans MOSFET N-CH 30V 11A 8Pin SOIC

Description

The IRF8707GPbF incorporates the latest HEXFET Power MOSFET Silicon Technology into the industry standard SO-8 package. The IRF8707GPbF has been optimized for parameters that are critical in synchronous buck operationincluding Rdson and gate charge to reduce both conduction and switching losses. The reduced total losses make this product ideal for high efficiency DC-DC converters that power the latest generation of processors for notebook and Netcom applications.

Benefits

Very Low Gate Charge

Very Low RDSonat 4.5V VGS

Ultra-Low Gate Impedance

Fully Characterized Avalanche Voltage and Current

20V VGS Max. Gate Rating

100% tested for Rg

Lead-Free

Halogen-Free

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