NXP BC857BS 双极晶体管阵列, 通用, PNP, 45 V, 200 mW, -100 mA, 200 hFE, SC-88
集电极-基极反向击穿电压VBRCBO Collector-Base VoltageVCBO | -50V \---|--- 集电极-发射极反向击穿电压VBRCEO Collector-Emitter VoltageVCEO | -45V 集电极连续输出电流IC Collector CurrentIC | -100MA/-0.1A 截止频率fT Transtion FrequencyfT | 100MHZ 直流电流增益hFE DC Current GainhFE | 200~450 管压降VCE(sat) Collector-Emitter Saturation Voltage | -0.4V 耗散功率Pc Power Dissipation | 300MW/0.3W 描述与应用 Description & Applications | PNP型通用双 特性 低收集器电容 低饱和电压 密切匹配的电流增益 减少数量的组件和boardspace 没有晶体管之间的相互干扰。 技术文档PDF下载 | 在线阅读
型号 | 品牌 | 下载 |
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BC857BS | NXP 恩智浦 | 下载 |
BC856ALT1G | ON Semiconductor 安森美 | 下载 |
BC857BLT1G | ON Semiconductor 安森美 | 下载 |
BC857BDW1T1G | ON Semiconductor 安森美 | 下载 |
BC856BLT1G | ON Semiconductor 安森美 | 下载 |
BC857C | NXP 恩智浦 | 下载 |
BC858CLT1G | ON Semiconductor 安森美 | 下载 |
BC857B,215 | NXP 恩智浦 | 下载 |
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BC856BW | NXP 恩智浦 | 下载 |
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