STN4NE03 N沟道MOSFET 30V 4A SOT-223/SC-73/TO261-4 marking/标记 N4NE03 高速开关/低导通电阻
最大源漏极电压Vds Drain-Source Voltage| 30V \---|--- 最大栅源极电压Vgs± Gate-Source Voltage| 30V 最大漏极电流Id Drain Current| 4A 源漏极导通电阻ΩRds DΩ/Ohmain-SouΩ/Ohmce On-State Ω/Ohmesistance| 0.05Ω/Ohm @2A,10V 开启电压Vgs（th） Gate-Source Threshold Voltage| 1-2.5V 耗散功率Pd Power Dissipation| 2.5W Description & Applications| TYPICAL RDSon = 0.037 Ω EXCEPTIONAL dv/dt CAPABILITY AVALANCHERUGGED TECHNOLOGY 100% AVALANCHE TESTED APPLICATION ORIENTED CHARACTERIZATION 描述与应用| 典型的RDS（on）= 0.037Ω 出色的的dv / dt能力 AVALANCHERUGGED技术 100％雪崩测试 面向应用