IPB034N06L3GATMA1

INFINEON  IPB034N06L3GATMA1  晶体管, MOSFET, N沟道, 90 A, 60 V, 0.0027 ohm, 10 V, 1.7 V

OptiMOS™3 功率 MOSFET，60 至 80V

OptiMOS™ 产品提供高性能封装，可处理最具挑战性的应用，在有限空间提供全部灵活性。 这些 Infineon 产品经的设计符合并超过计算机应用中更严格的下一代电压调节标准的能效和功率密度要求。

快速切换 MOSFET，用于 SMPS

优化技术，用于直流/直流转换器

符合目标应用的 JEDEC1 规格

N 通道，逻辑电平

极佳的栅极电荷 x R DSon 产品 FOM

极低导通电阻 R DSon

无铅电镀

欧时:
Infineon OptiMOS 3 系列 Si N沟道 MOSFET IPB034N06L3GATMA1, 90 A, Vds=60 V, 3引脚 D2PAK TO-263封装

得捷:
MOSFET N-CH 60V 90A D2PAK

立创商城:
N沟道 60V 90A

贸泽:
MOSFET N-Ch 60V 90A D2PAK-2 OptiMOS 3

艾睿:
Create an effective common drain amplifier using this IPB034N06L3GATMA1 power MOSFET from Infineon Technologies. Its maximum power dissipation is 167000 mW. In order to ensure safe delivery and enable quick mounting of this component after delivery, it will be encased in tape and reel packaging during shipment. This MOSFET transistor has an operating temperature range of -55 °C to 175 °C. This N channel MOSFET transistor operates in enhancement mode.

安富利:
Trans MOSFET N-CH 60V 90A 3-Pin TO-263 T/R

TME:
Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 90A; 167W; PG-TO263-3

Verical:
Trans MOSFET N-CH 60V 90A 3-Pin2+Tab D2PAK T/R

Newark:
# INFINEON  IPB034N06L3GATMA1  MOSFET Transistor, N Channel, 90 A, 60 V, 0.0027 ohm, 10 V, 1.7 V