XN09D6100L

特点•PNP硅外延平面型（TR）硅外延平面型（SBD）•两个要素纳入一个封装（TR + SBD）•减少安装面积和装配成本的一半•低集电极 - 发射极饱和电压VCE（sat）应用•对于DC-DC转换器

三极管BJT类型 TYPE| PNP \---|--- 三极管BJT集电极-基极反向击穿电压VBRCBO Collector-Base VoltageVCBO| -15V 三极管BJT集电极-发射极反向击穿电压VBRCEO Collector-Emitter VoltageVCEO| -15V 三极管BJT集电极连续输出电流IC Collector CurrentIC| -1.5A 三极管BJT截止频率fT Transtion FrequencyfT| 270MHz 三极管BJT直流电流增益hFE DC Current GainhFE| -100mA 三极管BJT管压降VCE（sat） Collector-Emitter Saturation Voltage| -90~-200mV 二极管DIODE类型 TYPE| 肖特基-单管 SBD-Single 二极管DIODE反向电压VR Reverse Voltage| 20V 二极管DIODE正向整流电流Io Rectified Current| 700mA 二极管DIODE正向电压降VF Forward VoltageVf| 450mV 耗散功率Pc Power Dissipation| 600mW Description & Applications| Features • Silicon PNP epitaxial planar type Tr Silicon epitaxial planar type SBD • Two elements incorporated into one package Tr + SBD • Reduction of the mounting area and assembly cost by one half • Low collector-emitter saturation voltage VCEsat Applications • For DC-DC converter 描述与应用| 特点 •PNP硅外延平面型（TR）硅外延平面型（SBD） •两个要素纳入一个封装（TR + SBD） •减少安装面积和装配成本的一半 •低集电极 - 发射极饱和电压VCE（sat） 应用 •对于DC-DC转换器