VISHAY SIS434DN-T1-GE3 晶体管, N沟道
The is a 40VDS TrenchFET® N-channel enhancement-mode Power MOSFET suitable for POL applications.
| 型号 | 品牌 | 下载 |
|---|---|---|
| SIS434DN-T1-GE3 | Vishay Semiconductor 威世 | 下载 |
| SIS412DN-T1-GE3 | Vishay Semiconductor 威世 | 下载 |
| SIS413DN-T1-GE3 | Vishay Semiconductor 威世 | 下载 |
| SIS427EDN-T1-GE3 | Vishay Semiconductor 威世 | 下载 |
| SIS406DN-T1-GE3 | Vishay Semiconductor 威世 | 下载 |
| SIS407ADN-T1-GE3 | Vishay Semiconductor 威世 | 下载 |
| SIS410DN-T1-GE3 | Vishay Semiconductor 威世 | 下载 |
| SIS436DN-T1-GE3 | Vishay Semiconductor 威世 | 下载 |
| SIS456DN-T1-GE3 | Vishay Semiconductor 威世 | 下载 |
| SIS454DN-T1-GE3 | Vishay Semiconductor 威世 | 下载 |
| SIS468DN-T1-GE3 | Vishay Semiconductor 威世 | 下载 |