TPCP8F01

TPCP8F01 PNP三极管+N沟道场效应管 PS-8 代码 8F01

三极管类型 Transistor Type | PNP \---|--- 集电极-基极反向击穿电压VBRCBO Collector-Base VoltageVCBO | -30V 集电极-发射极反向击穿电压VBRCEO Collector-Emitter VoltageVCEO | -20V 集电极连续输出电流IC Collector CurrentIC | -3.0A 截止频率fT Transtion FrequencyfT | 直流电流增益hFE DC Current GainhFE | 200~500 管压降VCE（sat） Collector-Emitter Saturation Voltage | -0.19V 场效应管类型 MOSFET TYPF | N 沟道 最大源漏极电压Vds Drain-Source Voltage | 20V 最大栅源极电压Vgs± Gate-Source Voltage | ±10V 最大漏极电流Id Drain Current | 100MA/0.1A 源漏极导通电阻Rdson FET Drain-Source On-State Resistance | ID = 10 mA, VGS = 4.0 V RDS=1.5~3Ω ID = 10 mA, VGS = 2.5 V RDS=2.2~4Ω ID = 1 mA, VGS = 1.5 V RDS=5.2~15Ω 开启电压Vgs（th） Gate-Source Threshold Voltage | 0.6~1.1V 耗散功率Pd Power Dissipation | 1W 描述与应用 Description & Applications | 　硅PNP型外延晶体管、场效应晶体管硅N通道MOS型 　　○Swtching应用程序 　　○负荷开关应用 　　○Multi-chip分立器件;内置PNP晶体管 　　主开关和N-ch MOS场效应晶体管驱动 　　高直流电流增益:hFE = 200 - 500IC =-0.5A 　　PNP型晶体管 　　低饱和:VCE坐=-0.19 Vmax 　　PNP型晶体管 　　高速开关:tf = 40 nstyp。PNP型晶体管