IS61WV25616BLL-10BLI

RAM，ISSI**ISSI** 静态 RAM 产品使用高性能 CMOS 技术。 提供各种静态 RAM，其中包括 5V 高速异步 SRAM、高速低功率异步 SRAM、5V 低功率类型异步 SRAM、超低功率 CMOS 静态 RAM 和 PowerSaverTM 低功率异步 SRAM。 ISSI SRAM 设备提供各种电压、存储器大小和不同的组织。 它们适用于以下应用，如 CPU 缓存、嵌入式处理器、硬盘和工业电子开关。 电源：1.8V/3.3V/5V 提供的封装：BGA、SOJ、SOP、sTSOP、TSOP 提供的配置选择：x8 和 x16 ECC 功能可用于高速异步 SRAM ### SRAM（静态随机存取存储器）

静态 RAM，ISSI

**ISSI** 静态 RAM 产品使用高性能 CMOS 技术。 提供各种静态 RAM，其中包括 5V 高速异步 SRAM、高速低功率异步 SRAM、5V 低功率类型异步 SRAM、超低功率 CMOS 静态 RAM 和 PowerSaverTM 低功率异步 SRAM。 ISSI SRAM 设备提供各种电压、存储器大小和不同的组织。 它们适用于以下应用，如 CPU 缓存、嵌入式处理器、硬盘和工业电子开关。

电源：1.8V/3.3V/5V

提供的封装：BGA、SOJ、SOP、sTSOP、TSOP

提供的配置选择：x8 和 x16

ECC 功能可用于高速异步 SRAM

### SRAM（静态随机存取存储器）

得捷:
IC SRAM 4MBIT PARALLEL 48TFBGA

欧时:
静态 RAM，ISSI**ISSI** 静态 RAM 产品使用高性能 CMOS 技术。 提供各种静态 RAM，其中包括 5V 高速异步 SRAM、高速低功率异步 SRAM、5V 低功率类型异步 SRAM、超低功率 CMOS 静态 RAM 和 PowerSaverTM 低功率异步 SRAM。 ISSI SRAM 设备提供各种电压、存储器大小和不同的组织。 它们适用于以下应用，如 CPU 缓存、嵌入式处理器、硬盘和工业电子开关。 电源：1.8V/3.3V/5V 提供的封装：BGA、SOJ、SOP、sTSOP、TSOP 提供的配置选择：x8 和 x16 ECC 功能可用于高速异步 SRAM### SRAM（静态随机存取存储器）

立创商城:
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e络盟:
SRAM, 4 Mbit, 256K x 16位, 2.4V 至 3.6V, BGA, 48 引脚, 10 ns

艾睿:
SRAM Chip Async Single 2.5V/3.3V 4M-Bit 256K x 16 10ns 48-Pin Mini-BGA

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SRAM Chip Async Single 2.5V/3.3V 4M-Bit 256K x 16 10ns 48-Pin Mini-BGA

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SRAM Chip Async Single 2.5V/3.3V 4M-Bit 256K x 16 10ns 48-Pin Mini-BGA

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IC SRAM 4MBIT 10NS 48MBGA

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IC SRAM 4MBIT 10NS 48MINIBGA