射频金属氧化物半导体场效应RF MOSFET晶体管 RFP-LD10M
Summary of Features:
\- Main: 150W P1dB
\- Peak: 200W P1dB
\- Ouput power = 250W P1dB
\- Efficiency = 46%
\- Gain = 16dB
| 型号 | 品牌 | 下载 |
|---|---|---|
| PXAC243502FVV1XWSA1 | Infineon 英飞凌 | 下载 |
| PXAC180602MDV1R500XUMA1 | Infineon 英飞凌 | 下载 |
| PXAC260602FCV1XWSA1 | Infineon 英飞凌 | 下载 |
| PXAC260622SCV1R250XTMA1 | Infineon 英飞凌 | 下载 |
| PXAC261002FCV1R250XTMA1 | Infineon 英飞凌 | 下载 |
| PXAC261212FCV1XWSA1 | Infineon 英飞凌 | 下载 |
| PXAC241702FCV1XWSA1 | Infineon 英飞凌 | 下载 |
| PXAC261212FCV1R250XTMA1 | Infineon 英飞凌 | 下载 |
| PXAC261002FCV1XWSA1 | Infineon 英飞凌 | 下载 |
| PXAC241702FCV1R250XTMA1 | Infineon 英飞凌 | 下载 |
| PXAC201202FCV2XWSA1 | Infineon 英飞凌 | 下载 |